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- 2024-12-14 发布于广东
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AP30N03SI
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP30N03SIusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI30A
DSD
RDS(ON)12mΩ@VGS=10V（Type：8.5mΩ）
Application
Ba
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