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- 2024-12-14 发布于广东
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AP70N10D
100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP70N10Dusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=100VI70A
DSD
RDS(ON)25mΩ@VGS=10V（Type：18mΩ）
Applicati
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