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- 2024-12-14 发布于广东
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AP75N10PIT
100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP75N10P/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=100VI75A
DSD
RDS(ON)18mΩ@VGS=10V（Type：11mΩ）
Application
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