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- 2024-12-14 发布于广东
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AP110N03NF
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP110N03NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI110A
DSD
RDS(ON)2.2mΩ@VGS=10V（Type：1.8mΩ）
Appl
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