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- 2024-12-14 发布于广东
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AP120N03BNF
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP120N03BNFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI120A
DSD
RDS(ON)3.8mΩ@VGS=10V（Type：2.8mΩ）
Application
Bat
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