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- 2024-12-14 发布于广东
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AP60N10D
100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60N10DusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=100VI60A
DSD
RDS(ON)12mΩ@VGS=10V(Type：9mΩ)
Application
DC/
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