《高频电路分析与实践》课件第8章.ppt

西勒电路是在克拉泼电路基础上，在电感L两端并联了一个可调电容C4，用来调整振动频率，而C3用数值固定的电容（一般与C4同数量级）。当C1C3,C2C3时，振荡频率近似为（8.18）在西勒电路中，调节C4改变频率时，因C3不变，所以谐振回路反映到晶体管输出端的等效负载阻抗变化缓慢，故调节C4对放大器增益的影响不大，从而可以保持振荡幅度的稳定，其频率覆盖系数较大，可达1.6~1.8，是目前应用较广泛的一种三点式振荡电路。 8.3晶体振荡器

8.3.1石英晶体的特性

在6.2节中已经介绍了石英晶体的压电效应，在外加交变电压的作用下，晶体产生固有频率十分稳定的机械振动。其中除了基频的机械振动外，还有许多近似奇次（三次、五次等）频率的机械振动，这些机械振动（谐波）称为泛音。对于石英晶体，既可以利用其基频振动，也可以利用其泛音振动，前者称为基频晶体，后者称为泛音晶体。晶片厚度与振动频率成反比，工作频率越高，要求晶片越薄，加工越困难，所以在工作频率大于20MHz时，一般采用泛音晶体。图8－11是石英晶体的等效电路。其中，安装电容C0（约1～10pF），动态电感Lq（约10-3～102H），动态电容Cq（约10-4～10-1pF），动态电阻rq（约几十到几百欧）。由以上参数可看出：

（1）石英晶体的Q值和特性阻抗都非常高，Q值可达几万到几百万，因为（2）由于石英晶振的接入系数n=Cq/(C0+Cq)很小，所以外接元件参数对石英晶振的影响很小。

综合以上两点不难看出，石英晶振的频率稳定度是非常高的。由图8－11可知，石英晶体可以等效为一个串联谐振回路和一个并联谐振回路。若忽略rq，则晶振两端呈现纯电抗，其电抗特性曲线如图8－12所示。当加在回路两端的信号频率很低时，两个支路的容抗都很大，因此电路总的等效阻抗呈容性。信号频率增加，容抗减小，当Cq的容抗与Lq的感抗相等时，Cq、Lq支路发生串联谐振，回路总电抗X=0，此时的频率fs称晶体的串联谐振频率。当频率继续升高时，Cq、Lq串联支路呈感性，当感抗增加到与C0的容抗相等时，回路产生并联谐振，回路总电抗趋于无穷大，此时的频率fp称为晶体的并联谐振频率。当ffp后，C0支路的容抗减小，对回路的分流起主要作用，回路总的电抗又呈容性。图8－11石英晶体的等效电路图8－12晶振的电抗特性曲线串联谐振频率并联谐振频率石英晶振产品还有一个标称频率fn，位于fs与fp之间，这是指石英晶振两端并联某一规定负载电容CL时石英晶体的振动频率。生产厂家的产品说明书中附有负载电容的值，通常为30pF（高频晶体）或100pF（低频晶体），或标示为∞（指无需外接负载电容，常用于串联型晶体振荡器）。8.3.2晶体振荡电路

1．并联型晶体振荡电路

并联型晶振电路的工作原理和一般三点式振荡器相同，只是把其中的一个电感元件用晶体置换，目的是保证反馈电压中仅包含所需要的基音频率或泛音频率，而滤除其它谐波分量。目前应用最广的是类似电容三点式的皮尔斯晶体振荡电路，如图8－13（a）所示。其交流通路如图8－13（b）所示，其中，晶体用等效电路表示。可以看出，它与克拉泼电路十分类似（Cq类似于C3），利用晶体的高Q和极小Cq，便可获得很高的频稳度。图8－13皮尔斯晶体振荡电路实际上，由于生产工艺的不一致性以及老化等原因，振荡器的振荡频率往往与晶体标称频率稍有偏差。因而，在振荡频率准确度要求很高的场合，振荡电路中必须设置频率微调元件。图8－14（a）给出了一个实用电路，图(b)为等效电路。图中，晶体在电路中作为电感元件L；C4为微调电容，用来改变并接在晶体上的负载电容，从而改变振荡器的振荡频率，不过频率调节范围是很小的。在实际电路中，除采用微调电容外。还可采用微调电感或同时采用微调电感和微调电容。图8－14晶体振荡实例上面讨论了基频晶体振荡电路。如果采用泛音晶体组成振荡电路，则需考虑抑制基波和低次泛音振荡的问题。为此，可将皮尔斯电路中的C1用L1C1谐振电路取代，如图8－15所示。假设晶体为五次泛音晶体，标称频率为5MHz，为了抑制基波和三次泛音的寄生振荡，L1C1回路应调谐在三次和五次泛音频率之间，如3.5MHz。这样在5MHz频率上，L1C1回路呈容性，振荡电路符合组成法则。而对于基波和三次泛音频率来说，L1C1回路呈感性，电路不符合组成法则，因而不能在这些频率上振荡。至于七次及其以上的泛音频率，L1C1回路虽呈容性，但其等效电容过大，致使电容分压比n过小，不满足振幅起振条件，因而也不能在这些频率上振荡。图8－15泛音晶振电路及LC回路电抗特性2.串联型晶体振荡电路

串联型晶体振