半导体蚀刻设备行业深度研究：国产刻蚀机未来可期.pdfVIP

半导体蚀刻设备行业深度研究：国产刻蚀机未来可期

1.刻蚀是集成电路制造关键环节，复杂工艺构筑行业壁垒

1.1.刻蚀是雕刻芯片的精准手术刀

集成电路（integratedcircuit）是采用多种工艺，把一个电路中所需的晶体

管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导

体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，实现所需电路功能的微型结

构。现代集成电路按功能划分，主要可以分为存储器，处理器，逻辑IC，模

拟IC四大类。

完整的集成电路的制造过程通常分为前道晶圆制造（Front-End）与后道封装

（BackEnd）两个部分。传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、

晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋成型和终测等8个主要步

骤。与前道晶圆制造相比，后道封装相对简单，对工艺环境、设备和材料的

要求较低。前道晶圆制造的复杂程度要远超后道封装，主要涉及光刻，刻

蚀，薄膜沉积，显影涂胶，清洗，掺杂氧化扩散，量测等工艺。其中刻蚀与

光刻及薄膜沉积一起，并列为晶圆制造最重要的三大工艺之一。

集成电路的构造并非简单的平面图形，而是一层层构造叠加起的立体结构。

其中，刻蚀作为核心工艺之一的作用，是通过物理及化学的方法，在晶圆表

面的衬底及其他材料上，雕刻出集成电路所需的立体微观结构，将前道掩模

上的图形转移到晶圆表面。在刻蚀新形成的结构上，可以进行2、SiN介质

薄膜沉积或金属Al，Cu，W薄膜沉积，也可以进行多重曝光或下一刻蚀步

骤，最终在各个层形成正确图形，并使得不同层级之间适当连通，形成完整

的集成电路。

刻蚀设备的重要性不断升高。这是由于光刻设备受到光源波长（DUV的

193nm或EUV的13.5nm）的限制，分辨率有一定极限；当晶体管微缩到一

定尺寸之后，单纯依靠光刻机的精确度推进工艺进步已经非常困难。刻蚀步

骤的设备，工艺，核心零部件的行业壁垒很高。这主要是因为：（1）刻蚀

作为图形转移的关键步骤，其所需要雕刻出的结构形态各异；（2）刻蚀步

骤需要在不同的材质表面进行，其所涉及的工艺方法相差较大；（3）刻蚀

作为主要步骤，占用了大量工艺时间和厂房空间，其生产效率和良率，对产

线的效率影响很大；（4）刻蚀步骤需要射频源，气路，电极，冷热源，真

空等多个子系统的精确流畅配合，这需要大量的工艺数据积累。

集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限。NAND闪存已进入3D时

代，目前128层3DNAND闪存已进入量产阶段，196层和200层以上的闪

存芯片正逐步放量。3DNAND制造工艺中，增加集成度的方法不再是缩小

单层的线宽，而是增加堆叠的层数。逻辑与DRAM集成电路也已遇到物理

因素限制，3D化设计雏形开始浮现。3D化集成电路对刻蚀设备提出了更高

的要求。

1.2.刻蚀方法从湿法到干法的演变

80年代以后，随着集成电路制程的升级，及芯片结构尺寸的不断缩小，湿法

刻蚀在线宽控制，刻蚀方向性方面的局限性渐渐显现，并逐步被干法刻蚀取

代。湿法刻蚀目前多用于回刻蚀，特殊材料层的去除，残留物的清洗。

1.2.1.湿法刻蚀的技术应用

湿法刻蚀是较为原始的刻蚀技术，利用溶液与薄膜的化学反应去除薄膜未被

保护掩模覆盖的部分，从而达到刻蚀的目的。其反应产物必须是气体或可溶

于刻蚀剂的物质，否则会出现反应物沉淀的问题，影响刻蚀的正常进行。通

常，使用湿法刻蚀处理的材料包括硅，铝和二氧化硅等。

1）硅的湿法刻蚀

一般采用强氧化剂对硅进行氧化，然后利用氢氟酸与二氧化硅反应，去除掉

二氧化硅，达到刻蚀硅的目的。最常用的刻蚀溶剂是硝酸与氢氟酸和水的混

合液。此外，也可以使用含KOH的溶液进行刻蚀。

2）二氧化硅的湿法刻蚀

二氧化硅的湿法刻蚀可以使用氢氟酸（HF）作为刻蚀剂，但是在反应过程中

会不断消耗氢氟酸，从而导致反应速率逐渐降低。为了避免这种现象的发

生，通常在刻蚀溶液中加入氟化铵作为缓冲剂，形成的刻蚀溶液称为BHF。

氟化铵通过分解反应产生氢氟酸，维持氢氟酸的恒定浓度。

3）氮化硅的湿法刻蚀

氮化硅是一种化学性质比较稳定的材料，它在半导体制造中的作用，主要是

作为遮盖层，以及完成主要流程后的保护层。湿法刻蚀大多用于整层氮化硅

的去除，对于小面积刻蚀，通常选择干法刻蚀。

4）铝的湿法刻蚀

集成电路中，大多数电极引线都由铝或铝合金制成。铝刻蚀的方法很多，生

产上常用加热的磷酸，硝酸，醋酸以及水的混合溶液。硝酸的作用主要是