半导体器件 分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范-编制说明.pdf

国家标准《半导体器件分立器件大功率双极型晶体管空

白详细规范》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1、任务来源

《半导体器件分立器件大功率双极型晶体管空白详细规范》是国家标准化管理委员

会下达的2023年国家标准复审修订计划项目，计划项目批准文号：国标委发【2023】64号，

计划代号T-339。由中华人民共和国工业和信息化部（电子）提出，全国半导体

器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单位：中国电子技术标准化研究院，项

目周期为16月。

2、制定背景

半导体分立器件是电子行业产业链中的通用基础产品，为电子系统中的最基本单元，半

导体分立器件大功率双极型晶体管产品是各种工程中应用较广泛的产品门类之一，其性能与

可靠性是影响系统质量的重要因素。

GB/T7576-1998《半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第四篇高频放大

管壳额定双极型晶体管空白详细规范》和GB/T7577-1996《低频放大管壳额定的双极型晶体

管空白详细规范》为大功率双极型晶体管的空白详细规范，由于这两项空白详细规范编制年

代久远，编制时依据的总规范GB/T4589.1-1989《半导体器件第10部分：分立器件和集成

电路总规范》和分规范GB/T12560-1990《半导体器件分立器件分规范》均已换版；引用的

试验方法GB/T4937-1995《半导体分立器件机械和气候试验方法》中的多项方法已转化为

GB/T4937部分标准，参数体系也与现代技术要求有出入，为保证国家标准内容的先进性和

适宜性，亟待修订。

鉴于高频放大晶体管和低频放大晶体管性能参数相近，考核方法类似，这两类产品空白

详细规范整合为大功率双极型晶体管空白详细规范更有助于标准的统一和使用，为该类器件

研制、生产和检验提供标准依据和重要支撑。

3、工作过程

（1）立项阶段

基于前期研究，完成项目建议书，形成标准草案，向全国半导体器件标准化技术委员会

（TC78）提出标准立项申请，于2023年12月28日正式纳入2023年国家标准复审修订计划项目，

计划项目代号T-339。

（2）起草阶段

项目立项后，牵头单位广泛征集起草单位，于2024年1月正式成立标准编制工作组，制

定标准研制具体实施计划与起草单位标准内容分工任务，推进开展收集和分析相关标准资料

等工作。

2024年2月-5月，标准工作组对现有的大功率双极型晶体管的参数特性以及质量检验要

求进行了分析，对国内大功率双极型晶体管，组织召开线上讨论会，广泛征求内部参编单位

意见，完善标准草案形成标准征求意见稿并编写了编制说明。

4、标准编制的主要成员单位及其所做的工作

本标准的主要承办单位为中国电子技术标准化研究院，主要参与单位包括济南市半导体

元件实验所、杭州三海电子科技股份有限公司等半导体分立器件领域的研制单位、用户、检

测机构。

二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题

1、编制原则

国际电工委员会TC47半导体器件标准化技术委员会已废止产品质量评价类标准，IEC

60747-7-2和IEC60747-7-4已被废止。此次整合修订GB/T7576-1998和GB/T7577-1996，编

制组基于GB/T12560提出大功率双极型晶体管的质量保证要求，特别是寿命试验要求，参考

国内和国外大功率双极型晶体管产品手册确定器件的最大额定值和主要电参数项目，同时参

考JEDEC规定的大功率双极型晶体管产品注册要求，提出了大功率双极型晶体管的质量保证

要求。

2、主要内容及其确定依据

（1）调整标准的框架结构

GB/T7576-1998和GB/T7577-1996制定时间较早，部分章节采用了表格的形式给出具体

要求，与现行的章节结构不符，因此此次整合修订，将标准框架按章节结构进行了调整。

（2）更新了引用文件

此次整合修订，对引用的分立器件分规范、外形尺寸、电参数测试方法、试验方法等进

行了更新。

（3）参数名称与GB/T4587一致

此次整合修订，电参数的名称按GB/T4587给出的电参数的名称进行了调整。

（4）绝对最大额定值

省略了在规定的反向基极电压下的最高集电极-发射极（直流）电压VCEX、在基极与发

射极短路时的最高集电极-发射极（直流