半导体单晶材料透过率测试方法-编制说明.pdf

一、工作简况

1、制定背景

半导体材料制成的部件、集成电路等是电子工业的重要基础产品，在电子技术的各

个方面已大量使用。半导体材料的生产和科研已成为电子工业的重要组成部分。在多个

领域有着重要应用，包括：集成电路、微波器件、光电子器件等。且随着应用日益广泛

和迅速发展，半导体材料的应用将更加重要和关键。

光学透过率在半导体材料特性表征中已有一定的应用，通过测定透过率，可以方便

快捷且无损的针对半导体单晶材料特定应用方向的重要特性进行表征。例如，光电探测

器能把光信号转换为电信号。测试半导体材料对光学响应的透射谱及透过率，关系到光

电探测器件的响应波长、响应度、光电流等性能；硅集成电路方面，杂质浓度是半导体

材料一项至关重要的参数。红外波段透过率可用于表征硅单晶片中的杂质元素浓度，并

且其灵敏度高，检出限低至ppb量级。本文件目的在于针对半导体单晶材料的光学透过率，

制订一套统一的测试方法，规范从样品处理、检测过程及数据处理等关键步骤，明确适

用范围，以提高测试本身的准确度和可靠性，进而为半导体单晶材料特定波长吸收率、

透过率、杂质浓度等诸多应用特性的表征奠定基础。

随着电子技术需求和晶片制备技术的发展，晶片面积增大，大尺寸、高透过率、高

转换率、高功率输出的半导体单晶材料对相应的光学均匀性也提出了更高的要求，迫切

需要一个统一的标准进行规范。

但目前国内外未见此类相关标准或测试方法，相关研究没有统一的测试标准可以依

据，不利于相互之间进行数据比对。因此，迫切需要建立本测试方法以适应和促进半导

体单晶材料快速发展。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2023年第三批推荐性国家标准计划及相关标准计

划外文版的通知》（国标委发[2023]58号）的要求，由中国电子科技集团公司第四十六研

究所牵头修订《半导体单晶材料透过率测试方法》，计划编号T-469,要求于

2024年12月完成。

经过原国标委工业一部、工业二部认可，半导体材料标准由全国半导体设备和材

料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分

技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口，具体见标委工二函[2014]22号。

3、起草过程

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3.1、起草阶段

制订本文件的承担单位中国电子科技集团公司第四十六研究所是中国主要的半导体

材料研发生产单位，研究方向几乎涵盖全部半导体材料，包括硅、锗、碳化硅、氮化镓、

氧化镓、硒化镉、氮化铝等，建立了多条主流半导体材料生产线，其中包括硅单晶片、

锗单晶片、GaAs单晶片等。任务下达后，中国电子科技集团公司第四十六研究所于成立

了《半导体单晶材料透过率测量方法》标准编制组，根据标准制定的原则，落实了标准

主要内容、涉及范围、检测、时间节点等工作，开展了相关国内外资料、标准的整理和

研讨工作，调研了半导体单晶材料透过率的测试需求，并于2024年3月完成了标准讨论

稿。

3.2、讨论会阶段

2024年6月5日在湖北省武汉市召开了《半导体单晶材料透过率测量方法》的讨论

会，南京国盛电子有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、西安龙翔半导体有限公司等

个单位位专家参加了本次会议。会议中专家对测试范围、方法原理、术语和定义、干

扰因素、仪器设备等方面提出了修改意见。根据该次会议的要求，编制组对预审稿进行

了修改和补充，于2024年8月初完成了预审稿及编制说明。

4、标准承研单位概况及起草人所做的工作

牵头单位中国电子科技集团公司第四十六研究所是中国主要的半导体材料研发生产

单位，经过几十年的发展，研究方向几乎涵盖全部半导体材料，包括硅、锗、碳化硅、

氮化镓等，建立了多条主流半导体材料生产线，其中包括硅单晶片、锗单晶片、GaAs单

晶片等。中国电子科技集团公司第四十六研究所质检中心始建于1988年，现有工作人员

38人，本科以上学历人员占90%以上，获得计量认证证书、国家实验室资质授权证书、

实验室认可证书。质检中心长期从事电子材料的物理性能、化学成分、结构与表面特性

的测试工作。在不断强化技术实力和科研工作的基础上，质检中心也十分重视标准化研

究以及国家、行业标准的制修订工作，积极承担标准化项目。质检中心拥有完整的半导

体材料测量设备和仪器，多年来，凭借自身的技术优势，为国内外客户提供了大量的检

测服务。同时拥有一批高素质的科研、生产和管理专业人才，曾制（修）订了多项半导