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AP34N50MP
500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP34N50MPissiliconN-channelEnhanced
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology
whichreducetheconductionloss,improveswitching
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.
GeneralFeatures
V=500VI34A
DSD
RDS(ON)180mΩ@VGS=10V（Type：150mΩ）
Application
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrection(PFC)
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP34N50MPTO-247-3LAP34N50MPXXXYYYY360
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)500V
IDContinuousDrainCurrent34A
IDMPulsedDrainCurrent(note1)112A
VGSGate-SourceVoltage±30V
EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)2391mJ
IARAvalancheCurrent(note1)28A
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