2004《模拟电子技术基础》A卷(李继凯) .pdfVIP

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-2003～2004学年第二学期《模拟电子技术基础》考试试题A卷

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-一．填空，选择正确答案填空（每空1.5分,共33分）。

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-1．N型半导体中的多子是_________。

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：-A．电子B.空穴C.正离子D.负离子

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批-

-2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于_________。

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审-

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-A．温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

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-3．当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。

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-A．大于B.小于C.等于

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-4．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

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-A．前者反偏、后者也反偏B．前者正偏、后者反偏C．前者正偏、后者也正偏

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：-5．二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压

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题-

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审Vo为_________。.(设二极管的导通压降为0。)

线）A．5.6VB.-4.3VC.-5VD.6V

凯-线

继-

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李-

-订

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-

-

-装

题-

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命-

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-封

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-

-

-密

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-

-

出

。

封6．当温度升高时，双极型晶体管的将

超

A．增大B．减小C．不变

：

-能

号-

-7．设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出

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学-

-不

-图中电路的输出电压Vo为_________。

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-题A．4.3VB.8VC.5VD.0.7V

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-答

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-（

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：

名密

姓

8．场效应管是控制器件。

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-A．电流B．电压

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：-

）-

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写-

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填