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第三章简答题
1.如图所示的二维求解区域oabc,自由电荷的密度ρ=0,边界bc加电压为U0,oa、ac、ob接地,写出标量电位φ满足的方程及其边界条件。
答:
φ(0,y)=0,φ(a,y)=0φ(x,0)=0,φ(x,b)=U0
2.如图所示的二维求解区域oabc,自由电荷的密度ρ=0,边界bc加电压为U0,oa接地,写出标量电位φ满足的方程及其边界条件。
答:
φ(x,0)=0,φ(x,b)=U0
3.根据自己的理解,解释镜像法的基本原理,并说明其理论依据。
答:用位于场域边界外虚设的较简单的镜像电荷分布来等效替代该边界上未知的较为复杂的电荷分布,在保持边界条件不变的情况下,将边界面移去,从而将原含该边界的非均匀媒质空间变换成无限大单一均匀媒质的空间,使分析计算过程得以明显简化的一种间接求解法。理论依据是唯一性定理。
分析题
4.同心球形电容器的内导体半径为a、外导体半径为b,其间填充介电常数为ε的均匀介质。
已知内导体球均匀携带电荷q。求:①介质内的电场强度;②该球形电容器的电容。
解:①高斯定理=q,得D=
②内外导体间电压Edr=由电容的定义得到
5.同轴线缆内导体半径为a,外导体半径为b,内外导体间填充的介电常数为ε的均匀介质,求同轴线缆单位长度的电容。
解:设同轴线的内、外导体单位长度带电量分别为+pl和—pl,应用高斯定理可得到内外导体间任一点的电场强度为
内外导体间的电位差为
故得同轴线单位长度的电容为
(F/m)计算题
6.同轴电缆的内导体半径为a,外导体的内、外半径分别为b和c,如图所示。导体中通有电流I,试求同轴电缆中单位长度储存的磁场能量和自感。
解:
三个区域单位长度内的磁场能量分别为
同轴线单位长度内总的磁场能量为
Wm=Wm1+Wm2+Wm3
J
J/m
单位长度的总自感
7.两块无限大接地导体平板分别置于x=0和x=a处,在两板之间的x=b处有一面密度为PS0的均匀电荷分布,如图所示。求两导体平板之间的电位和电场。
解在两块无限大接地导体平板之间,除x=b处有均匀面电荷分布外,其余空间均无电荷分布,故电位函数满足一维拉普拉斯方程
(0xb)(bxa)
φ1(x)=C1x+D1方程的解为φ2(x)=C2x+D2
利用边界条件,有
x=0φ1(0)=0
x=bφ1(b)=φ2(b),
所以
D1=0
C2a+D2=0
C1b+D1=C2b+D2
x=aφ2(a)=0
ε0
由此解得
C1=-D1=0C2=-,
最后得
8.在一块厚度h的导电板上,由两个半径为r1和r2的圆弧和夹角为φ0的两半径割出的一段环形导电媒质,如图所示。设导电媒质的电导率为σ,计算沿φ方向的两电极之间的电阻。
解:设在沿φ方向的两电极之间外加电压U0,则电流沿φ方向流动,而且电流密度是随ρ变化的。但容易判定电位φ只是变量φ的函数,因此电位函数φ满足一维拉普拉斯方程
φ=C1φ+C2方程通解为
代入边界条件φ
φ=0=U0,
所以φ=U0-
φ=0φ=
φ
=0
电流密度
两电极之间的电流hdP=故沿φ方向的两电极之间的电阻为(Ω)
第四章简答题
1.写出坡印廷定理的积分形式并简要说明其意义,以及每项的含义。答:坡印廷定理的积分形式为
-∫S(E–×H–).dS–=V(E–.D–+H–.B–)dV+∫VE–.J–dV
物理意义:单位时间内,通过曲面S进入体积V的电磁能量等于体积V中所增加的电磁场能量与损耗的能量之和。坡印廷定理是表征电磁能量守恒关系的定理。
V(E–.D–+H–.B–)dV——单位时间内体积V中所增加的电磁能量。
∫VE–.J–dV——时间内电场对体积V中的电流所作的功;在导电媒质中,即为体积V
内总的损耗功率。
-∫S(E–×H–).dS–——通过曲面S进入体积V的电磁功率。
2.什么是洛伦兹
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