DB31∕792-2020 硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额.docxVIP

ICS27.010

F01

0B31

上

海市地方标准

DB31/792—2020

代替DB31/792—2014

硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额

Thenormofenergyconsumptionperunitproductsformonocrystallinesiliconandsiliconwafer

2020-03-05发布2020-06-01实施

上海市市场监督管理局发布

I

DB31/792—2020

前言

本标准4.2和4.3是强制性的，其余为推荐性的。本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准代替DB31/792—2014《硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额》,与DB31/792—2014相比，除编辑性修改外，主要技术变化如下：

——修改了英文名称；

——修改了适用范围，取消了太阳能级硅单晶及其硅片的要求(见第1章和2014年版的第1章);

——调整了规范性引用文件，删除了GB/T3484,增加了GB/T12962、GB/T12964、GB/T12965、GB/T14139(见第2章和2014年版的第2章);

——修改了第3章，调整了术语和定义，增加了硅单晶、研磨片、抛光片、外延片等产品定义(见第3章和2014年版的第3章);

——修改了第4章，删除了太阳能级硅产品的能耗要求，细分了产品，重新规定了硅单晶及硅片单位产品能源消耗限额的限定值、准入值、先进值(见4.2、4.3、4.4和2014年版的4.1、4.2、4.3);

——修改第5章为“统计范围及计算方法”,增加了5.1统计范围，删除了计算原则(见2014年版的5.1),并对计算方法做了修改、精简；

——修改第6章为“节能降耗导向”(见第6章和2014年版的第6章);——增加了附录A。

本标准由上海市发展和改革委员会、上海市经济和信息化委员会共同提出，由上海市经济和信息化委员会组织实施。

本标准由上海市能源标准化技术委员会归口。

本标准起草单位：上海有色金属行业协会、上海市有色金属标准化技术委员会、上海合晶硅材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、上海新傲科技股份有限公司、上海晶哲电子材料有限公司。

本标准主要起草人：陈建纲、韩建超、高璇、马志辉、张向东、杨文杰、唐宗平。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：——DB31/792—2014。

1

DB31/792-2020

硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额

1范围

本标准规定了硅单晶及硅单晶片单位产品能源消耗限额的技术要求、统计范围、计算方法及节能降耗导向。

本标准适用于半导体级硅单晶和硅单晶片，包括研磨片、抛光片、外延片(以下统称“硅片”)生产企业产品能源单耗的计算、考核以及对新建项目能源单耗的控制。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T2589综合能耗计算通则GB/T12962硅单晶

GB/T12964硅单晶抛光片

GB/T12965硅单晶切割片和研磨片GB/T14139硅外延片

GB17167用能单位能源计量器具配备和管理通则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

可比硅片产量comparablesiliconwaferyield

企业生产的不同直径的合格硅片实际产量，按硅片表面积折算系数折算后的产量。3.2

硅单晶monocrystallinesilicon

高纯度的多晶硅在单晶炉内用直拉法生长的单晶硅棒材，是制造硅器件的原料。3.3

硅单晶研磨片monocrystallinesiliconlappedwafer

硅单晶切割片经研磨工艺加工硅单晶研磨片，是用于制造半导体分立器件的直接原材料，也是制造硅抛光片的中间产品。

3.4

硅单晶抛光片monocrystallinesiliconpolishedwafer

硅单晶研磨片经抛光加工成的表面高平坦度的硅单晶抛光片，作为硅单晶外延片的衬底，也用于制

作集成电路、分立器件、功率器件等。3.5

硅单晶外延片monocrystallinesiliconepitaxialwafer

在硅单晶抛光片上生长一层或多层硅单晶薄膜(外延层)后制成硅单晶外延片，是制作半导体器件

2

DB31/792—2020

和集成电