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《微电子技术基础》课程教学大纲

课程代码：ABJD0508

课程中文名称:微电子技术基础

课程英文名称：FundamentalofMicroelectronics

课程性质：必修

课程学分数：3学分

课程学时数：48学时

授课对象：电子科学与技术专业

本课程的前导课程：半导体物理

一、课程简介

《微电子技术基础》是电子科学与技术专业设立的一门专业核心课。本课程从物理概念

入手，结合工程实例，介绍半导体集成器件物理、集成工艺原理，以及集成电路和系统的设

计特点与方法，对学生进行微电子技术方面的全方位教育，为以后参与微电子系统研制工作

奠定必要的理论基础。

二、教学基本内容和要求

1、概论

在前期学习了《半导体物理》的基础上，了解本课程与《半导体物理》、《微电子制造技

术》之间的关系；了解微电子技术和集成电路的发展历程；了解集成电路的结构与制造特点。

2、集成器件物理基础

教学内容：半导体及其能带模型；半导体导电性与半导体方程；pn结和pn结二极管；

双极型晶体管；JFET与MESFET器件基础；MOS场效应晶体管；异质结半导体器件。

重点：半导体中的电流；半导体基本方程；平衡状态下的pn结；pn结的单向导电性；

pn结直流伏安特性；双极型晶体管的直流放大原理；晶体管的特性参数及其影响因素；JFET

与MESFET器件结构与电流控制原理；MOS场效应晶体管结构与工作原理；异质结半导体

器件。

难点：半导体中的电流；pn结的单向导电性；pn结直流伏安特性；双极型晶体管的

直流放大原理：晶体管的特性参数及其影响因素；JFET与MESFET器件结构与电流控制原理；

MOS场效应晶体管结构与工作原理。

教学要求：掌握半导体的能带模型；掌握半导体中的载流子与电流组成；掌握半导体中

的非平衡载流子与载流子寿命；掌握半导体基本方程；理解平衡状态下的pn结；理解并掌

握pn结的单向导电性；掌握pn结直流伏安特性；掌握pn结的击穿；了解pn结的等效电

路模型及其应用；理解并掌握双极型晶体管的直流放大原理；理解并掌握晶体管的各个特性

参数及其相应的影响因素；了解并掌握JFET与MESFET器件结构与电流控制原理；理解JFET

直流输出特性的定性分析与转移特性；理解并掌握MOS场效应晶体管结构与工作原理；掌

握MOS晶体管直流伏安特性定量分析；了解并理解异质结半导体器件的特点、组成与发展

趋势。

3、集成电路制造工艺

教学内容：硅平面工艺基本流程；氧化工艺；扩散工艺；离子注入工艺；光刻与刻蚀工

艺；制版工艺；外延工艺；金属化工艺；引线封装；隔离技术；绝缘物上硅；CMOS集成电

路工艺流程。

重点：氧化工艺；扩散工艺；离子注入工艺；光刻与刻蚀工艺；外延工艺，CMOS集成

电路工艺流程。

难点：氧化工艺；扩散工艺；离子注入工艺；光刻与刻蚀工艺；外延工艺。

教学要求：了解硅平面工艺基本流程；理解并掌握半导体器件生产工艺的基本原理

——“掺杂”与“补偿”；了解氧化工艺流程，掌握提升氧化层质量的方法；了解扩散工艺流程，

掌握氧化层的检测方法与提升质量的途径；了解离子注入工艺设备与流程，掌握离子注入退

火处理；了解并理解光刻与刻蚀工艺流程，了解新型图形光刻技术；了解制版工艺；了解并

理解多种外延工艺；掌握几种常见的金属化工艺；了解引线封装技术；了解隔离技术；了解

绝缘物上硅；了解并理解CMOS集成电路工艺流程。

4、集成电路设计

教学内容：集成电路版图设计规则；集成电路中的无源元件；双极集成器件和电路设计；

CMOS集成器件和电路设计。

重点：集成电路版图设计规则；集成电路中的无源元件；双极集成器件和电路设计。

难点：集成电路中的无源元件；双极集成器件和电路设计。

教学要求：了解并掌握集成电路版图设计规则；理解集成电路中无源元件的结构与性能；

掌握双极集成器件和电路设计，了解CMOS集成器件和电路设计。

5、微电子系统设计

教学内容：双极数字电路单元设计；CMOS数字电路单元电路设计；半导体存储器电

路；专用集成电路设计方法。

重点：双极数字电路单元设计；CMOS数字电路单元电路设计；半导体存储器电路。

难点：双极数字电路单元设计；CMOS数字电路单元电路设计。

教学要求：