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第四章存储系统
4.1概述
4.1.1技术指标
4.1.2层次结构
4.1.3存储器分类
存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。一个双稳态半导体电路或
一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,均可以存储一位二进制代码。这个二进制代码位是存
储器中最小的存储单位,称为一个存储位或存储元。由若干个存储元组成一个存储单元,然后
再由许多存储单元组成一个存储器。
根据存储材料的性能及使用方法不同,存储器有各种不同的分类方法。
(1)按存储介质分
作为存储介质的基本要求,必须有两个明显区别的物理状态,分别用来表示二进制的代码0
和1。另一方面,存储器的存取速度又取决于这种物理状态的改变速度。目前使用的存储介质主
要是半导体器件和磁性材料。用半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。用磁性材料做成
的存储器称为磁表面存储器,如磁盘存储器和磁带存储器。
(2)按存取方式分
如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取,且存取时间和存储单元的物理位置无
关,这种存储器称为随机存储器。半导体存储器是随机存储器。如果存储器只能按某种顺序来
存取,也就是说存取时间和存储单元的物理位置有关,这种存储器称为顺序存储器。如磁带存
储器就是顺序存储器,它的存取周期较长。磁盘存储器是半顺序存储器。
(3)按存储器的读写功能分
有些半导体存储器存储的内容是固定不变的,即只能读出而不能写入,因此这种半导体存
储器称为只读存储器(ROM)。既能读出又能写人的半导体存储器,称为随机读写存储器(RAM)。
(4)按信息的可保存性分
断电后信息即消失的存储器,称为非永久记忆的存储器。断电后仍能保存信息的存储器,
称为永久性记忆的存储器。磁性材料做成的存储器是永久性存储器,半导体读写
4.2半导体随机读写存储器
主存储器由半导体存储芯片构成,容量较小时可采用SRAM芯片,容量较大时一般采用
DRAM芯片。主存中的固化区采用ROM芯片,包括PROM、EPROM、EEPROM、等。
4.2.1MOS存储器的存储元电路
1.六管静态MOS存储元(SRAM)
(1)存储元的读写原理
存储元是存储器中的最小存储单位。它的基本作用是存储一位二进制信息。作为存储元
的材料或电路,须具备以下基本功能:
①具有两种稳定状态;②两种稳定状态经外部信号控制可以相互转换;
③经控制,能读出其中的信息;④无外部原因,其中的信息能长期保存。
静态MOS存储元V1、V2、V3、V4组成的双稳态触发器能够长期保持信息的状态不变,
原因是电源通过V3、V4不断供给V1或V2电流。它的特点是当供电电源切断时,原存的信息
也消失。六管静态存储元的结构图如图4-3所示。
图中T1、T2为工作管;T3、T4为负载管;T7、T8为控制管。
两个稳态:T1截止,T2导通为“1”态;T2截止,Tl导通为“0”态。
工作原理:①保持状态(X、Y译码线为低电平,即T5、T6、T7、T8均截止)
保持“1”态:A高T2导通B低T1截止
保持“0”态:A低T2截至B高T1导通
②写入状态(X、Y译码线为低电平,即T5、T6、T7、T8均导通)
写“1”:I/O线加高电平-A高-T2导通;I/O线为低电平-B低-Tl截止。
写“0”:I/O线加低电平-A低-T2截止;I/O线为高电平-B高-T1导通。
③读出状态(X、Y译码线为低电平,即T5、T6、T7、T8均导通)
读“1”(Tl截止、T2导通):Vcc从T3到T5、T7使D线有电流;
读“0”(T2截止、T1导通):Vcc从T4到T6、T8使D线有电流,D线无电流。
所以,通过判断D线有无电流即可判断读出的是“1”信息还是“0”信息。
(2)静态MOS存储器
静态MOS存储器的结构如图4-4所示。存储体用来存储信息,它由静态MOS存储元组成,
采用二维矩阵
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