安世GAN111-650WSB深圳市恒锐丰科技.pdf

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-GAN111-650WSB

650V,97OhGalliuNitride(GaN)FETinaTO-247

package

24June2024Productdatasheet

1.Generaldescription

TheGAN111-650WSBisa650V,97mΩGalliumNitride(GaN)ETinaTO-247package.Itisa

normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand

low-voltagesiliconMOSETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance.

2.Featuresandbenefits

•Ultra-lowreverserecoverycharge

•Simplegatedrive(0Vto+10Vor+12V)

•Robustgateoxide(±20Vcapability)

•Highgatethresholdvoltage(+4V)forverygoodgatebounceimmunity

•Verylowsource-drainvoltageinreverseconductionmode

•Transientover-voltagecapability

3.Applications

•Hardandsoftswitchingconvertersforindustrialanddatacompower

•AC/DCBridgelesstotem-polePFC

•DC/DCHigh-frequencyresonantconverters

•Datacomandtelecom(AC/DCandDC/DC)converters

•Solar(PV)inverters

•Servomotordrives

•TVPSUandLEDdrivers

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterCond

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