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正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体.docxVIP

正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体.docx

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T/SASXXXX—XXXX

1

正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体

1范围

本标准规定了正电子发射断层扫描仪用锗酸铋闪烁晶体的术语和定义、产品编号、技术要求、检测方法、检验规则、标志、运输和贮存。

本标准适用于正电子发射断层扫描仪(PositronEmissionTomography,PET)用锗酸铋闪烁晶体。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T13181-2002闪烁体性能测量方法

GB/T12564-2008光电倍增管总规范

GB/T21389-2008游标、数显、带表卡尺

3术语和定义

GB/T13181-2002、GB/T12564-2008、和GB/T21389-2008界定的以及下列术语和定义适用本文件。

3.1

闪烁体scintillator

闪烁探测器中对于致电离辐射灵敏的一种元件,它以适当的形式由一定量的闪烁物质组成。[GB/T13181-2002,定义3.1]

3.2

锗酸铋晶体bismuthgerminatecrystal

锗酸铋晶体化学式为Bi4Ge3O12,简称BGO,属立方晶系,空间群为I43d。

3.3

全能峰total-absorptionpeak

在X或Y辐射测量中,相当于光子在探测物质中能量全部被吸收时的能谱响应曲线的峰。[GB/T12564-2008,定义3.1.20]

3.4

脉冲幅度pulseamplitude

用一定强度的光脉冲重复照射光阴极时,阳极输出脉冲的平均幅度,一般以幅度分布曲线峰值对应的脉冲幅度表示。对输入信号为单能的Y辐射,为全能峰峰值对应的脉冲幅度。

[GB/T12564-2008,定义3.3.1]

T/SASXXXX—XXXX

2

3.5

光学透过率opticaltransmittance

透过晶体的光通量与其入射晶体光通量的百分率,用T来表示,表达式如公式(1)所示。

I

I

T=

0式中:

0

I——透过晶体的光通量;

I0——入射晶体的光通量。

3.6

根100%

(1)

光学透过率不均匀性non-uniformityoflighttransmittance

沿晶体生长方向,不同位置处的光学透过率具有一定的差异,这种现象被称为光学透过率不均匀性

TNU,表达式如式(2)所示:

TNU=Tmmin根100%(2)

式中:

Tmax——在相同测量条件下的同次测量中,测得的同一晶体上所有检测点的光学透过率最大值;Tmin——在相同测量条件下的同次测量中,测得的同一晶体上所有检测点的光学透过率最小值;Tave——在相同测量条件下的同次测量中,测得的同一晶体上所有检测点的光学透过率算术平均值。

3.7

相对光输出relativelightoutput

光输出是闪烁体发射光子的总数与被该闪烁体吸收的入射辐射能量之比值。被测样品的光输出与标准样品的光输出的比值,称为相对光输出。

本标准中,相对光输出是在相同测量条件下,被测样品的脉冲幅度P与标准样品(附录A)的脉冲幅度P0之比,用L表示,其计算方法如式(3)所示:

L=根100%(3)

式中:

P——在相同的测量条件下,被测样品的脉冲幅度;

P0——在相同的测量条件下,标准样品的脉冲幅度。

本标准中,被测样品的相对光输出值表征了被抽样产品的光输出性能。

注:标准样品的选择见附录B。

3.8

T/SASXXXX—XXXX

3

能量分辨率energyresolution

一定能量的粒子或射线入射到闪烁体内,并被全吸收,经过闪烁体的受激发光,光传输和光探测器接受给出信号等统计过程,导致输出脉冲的幅度是一个统计分布,全吸收过程对应的输出脉冲峰的半高宽⊿P(FWHM)与脉冲峰对应的脉冲幅度P的比值为闪烁探测器的能量分辨率R,其计算方法如式(4)所示:

R=100%(4)

式中:

⊿P——全吸收过程对应的输出脉冲峰的半高宽;

P——在相同的测量条件下,被测样品的脉冲幅度。

本标准中,能量分辨率是指未扣除仪器和光电倍增管影响的分辨率。被测样品的能量分辨率代表了被抽样产品的能量分辨率。

3.9

辐照硬度r

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