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基本半桥逆变电路分析

电路仿真练习

一、各元件的作用

FUSE保险电阻：过电流和短路电流保护元件，抑制浪涌电流；

L1，C1，C2：组成π型EMI滤波器，减轻高频逆变电路产生的电磁干扰；

D1，D2，D3，D4：组成桥式整流电路，将输入的交流变为直流；

C4滤波电容：将整流出的电压进行平滑滤波，使其接近直流电压；

R1，C5：RC积分电路，滤波后的电压经过R1对C5进行充电，提供DB3导通电

压；DB3双向触发二极管：当C5上的电压高于DB3的导通电压时，DB3导通，向

Q2的基极注入电流，

使T2导通，电路起振后，DB3不再导通；

D5：隔离启动电路和振荡电路，使振荡电流不会经过C5到地；

R2，C4：C4为续流电容，R2为C4提供放电网络。当Q1和Q2在交替开关的同

时截止阶段，使灯

丝有电流流过，C4通常为1000~3300pF；R2，C4组成的放电网络同时避免两个

三极管电流

重叠，提供一个死区时间。

D6，D7续流二极管：与三极管并联在磁环线圈的两端，保护三极管，防止三极

管反向击穿，反向电

动势会通过二极管释放；

Q1，Q2开关三极管：构成推挽电路，两管交替导通，在Q1的发射极和Q2的集

电极中间产生近似方

波脉冲；

R4，R6：稳定电路工作点，负反馈作用，抬高晶体管发射极电位，控制发射机

和基极之间的电压；R3，R5：控制晶体管的基极电流，同时隔离晶体管的基极电

压与磁环绕组的感应电动势；N1，N2，N3磁环绕组（脉冲变压器）：利用互感耦

合，以及磁芯的饱和特性，控制Q1与Q2的交替

开关；

L2，C6：LC串联谐振电路，在C6两端为灯提供启动电压，同时对方波脉冲进

行滤波，使灯丝电流

近似正弦波；L2的Q值和C6的决定提供启动电压的大小；C7，C8：隔直电

容，为灯丝电流提供交流通路。

二、各元件参数估算要求

FUSE保险电阻：一般选择4.7~47欧；

L1，C1，C2：高阻低通滤波器设计；使用安规电容；

D1，D2，D3，D4：整流二极管，二极管反向耐压和热稳定性，反向耐压一般为

输入电压的1.25倍；C4滤波电容：充放电的时间常数以及耐压值，充放电时间

常数数交流周期的3~5倍，耐压值高于峰

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电路仿真练习

值电压的1.25倍；

R1，R2：一般，R1=R2，两者相近，一般控制R1流过的电流在0.5~1mA；C5：

C5的耐压要高于DB3的导通电压1.25倍以上，R1、C5的时间常数一般应为开关管

导通时间的

5%左右，要求有足够大的电流经过DB3注入Q2基极，使Q2导通；D5：普通

整流二极管；

C4续流电容：Q1和Q2截止时，C4会产生脉冲电流，Q1、Q4交替导通截止，

使C4上产生正负交

替的高频脉冲，因此C4要选择高频损耗小的电容，避免发热损坏；D6，D7续

流二极管：续流二极管D选择要考虑导通、截止和转换三部分损耗，所以用正向压

降小，

反向电流小和存储时间短的开关二极管，一般选用肖特基二极管；Q1，Q2开

关三极管：晶体管的耐压大于滤波后的线路电压；

集电极电流依据灯丝峰值电流确定，通过集电极的峰值电流是通过L2的峰值

电

流，因此集电极电流参数应远大于此值；

晶体管的开关速度主要受存储时间影响，存储时间应低于开关周期的20%，开

关周期可用镇流器的开关频率计算；

直流电流增益要大，一般要求大于5，这样较小的基极电流就可以获得较高的

集

电极电流，减小晶体管的导通损耗；

R4，R6：反馈电阻，通过发射极电流变化影响晶体管发射极电压，进而控制发

射极和基极之间的电

压的变化，依据晶体管工作点的稳定要求取值；R3，R5：依据开关三极管的

集电极电流和直流增益，确定基极电流，结合N1，N2的感应电动势确

定；R3，R5与N1，N2的匝数相关（由晶体管基极电流的峰值决定）；N1，

N2，N3磁环绕组：绕组的匝数由磁环的饱和磁场强度，有效磁路长度，以及流过

绕组的峰值电

流大小决定，绕组匝数=（有效磁路长度*饱和磁场强度）/峰值电流；绕组电

压=-（磁导率*匝数平