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1.1.保护器件避免划伤和沾污

2.限制带电载流子场区隔离（表面钝化）

3.栅氧或存储单元结构中的介质材料

4.掺杂中的注入掩蔽

5.金属导电层间的电介质

6.减少表面悬挂键

2.化学反应：Si+2H2O-SiO2+2H2

水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中

扩散更快、溶解度更高

3.、1.干氧：Si＋O2SiO2

氧化速度慢，氧化层干燥、致密，均匀性、重复性好，与光刻胶

的粘附性好

2、水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2(气)

氧化速度快，氧化层疏松，均匀性差，与光刻胶的粘附性差

3、湿氧：氧气携带水汽，故既有Si与氧气反应，又有与水汽反应

氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间

4.掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气

5.界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷

6.工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统

4.工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝

和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片

架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气

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体通到炉管中来维持炉中气氛控制系统控制炉子所有操作，如工艺

时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速