《集成电路制造工艺与工程应用》第二十讲 .pptxVIP

第二十讲：亚微米后段工艺制程技术;内容;IMD2工艺

VIA2工艺;IMD2工艺;;IMD2工艺;IMD2工艺;VIA2工艺：是指在IMD2介质层上形成Metal2与Metal3的连接通道。通孔的填充材料也是金属钨（W），它也可以实现优良的台阶覆盖率和高深宽比接触通孔无间隙的填充。

VIA2光刻处理。通过微影技术将VIA2掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成VIA2的光刻胶图案，非VIA2区域上保留光刻胶。M2作为VIA2光刻曝光对准。;量测VIA2光刻的关键尺寸。

量测VIA2光刻套刻。收集曝光之后的VIA2光刻与M2的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。;VIA2刻蚀。利用干法刻蚀去除无光刻胶覆盖区域的氧化物，获得垂直的侧墙形成接触通孔，提供Metal2和Metal3的连接。刻蚀的气体是CHF3和CF4。TiN作为刻蚀的停止层，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物锐减，刻蚀最终停在TiN上面。

;去除光刻胶。利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，再通过湿法刻蚀利用有机溶剂进行清洗。

量测VIA2刻蚀关键尺寸。

Ar刻蚀。PVD前用Ar离子溅射清洁表面。;VIA2工艺;VIA2工艺;VIA2工艺;谢谢