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作者：温德通
2022.12.25;内容;湿法刻蚀
干法刻蚀
干法刻蚀的分类
刻蚀面临的挑战
硬掩膜版工艺技术
多晶硅栅硬掩膜版的工艺流程;湿法刻蚀;干法刻蚀;干法刻蚀的分类;刻蚀面临的挑战;硬掩膜版工艺技术;多晶硅栅硬掩膜版的工艺流程：
淀积多晶硅栅。利用LPCVD沉积一层厚度约3000?的多晶硅。
淀积的SiO2和SiON层。利用PECVD淀积一层厚度200?~300?的SiON层和200?左右的SiO2，SiH4、N2O和He在400℃的温度下发生化学反应形成SiON淀积，SiON层作为光刻的底部抗反射层。利用SiH4、O2和He发生化学反应淀积SiO2，SiO2和SiON层作为硬掩膜版。;多晶硅栅硬掩膜版的工艺流程：
栅极光刻处理。通过微影技术将栅极掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成栅极的光刻胶图案。
;多晶硅栅硬掩膜版的工艺流程：
硬掩膜版干法刻蚀。利用CF4和CHF3刻蚀SiO2和SiON层，把光刻胶的图形转移到硬掩膜版上。
去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法腐蚀去除光刻胶。;多晶硅栅硬掩膜版的工艺流程：
多晶硅栅干法刻蚀。基于氯的反应离子刻蚀(RIE)，利用Cl2和HBr刻蚀多晶硅。刻蚀会停止氧化物上，因为当刻蚀到氧化物时，终点侦测器会侦查到硅的副产物的浓度减小，提示多晶硅刻蚀已经完成，为防止有多晶硅残留导致短路，还会刻蚀一段时间。
湿法刻蚀。湿法刻蚀去除SiO2和SiON层。;谢谢
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