《集成电路制造工艺与工程应用》第四十一讲.pptxVIP

第四十一讲：晶圆接受测试（WAT）;内容;AA接触电阻Rc

Poly接触电阻Rc

通孔接触电阻Rc;CMOS工艺平台的AA接触电阻有两种类型的电阻，它们分别是n型AA接触电阻和p型AA接触电阻。

AA接触电阻的版图是链条结构的两端器件，设计成链条结构的目的是尽量增加接触孔的数目，得到更多数目的AA接触电阻的整体阻值，对测试结果平均化后，可以减小其它的影响因素，从而得到一个更精确的阻值。n型AA接触电阻必须设计在PW里面，p型AA接触电阻必须设计在NW里面。;AA接触电阻的测试结构;AA接触电阻的WAT参数包括Rc_NAA（n型AA接触电阻）和Rc_PAA（p型AA接触电阻）。

测量n型AA接触电阻的基本原理是在电阻的一端加载电压1VDC电压，另一端和衬底接地，从而测得电流In，Rc_NAA=[1/In-(N/2)*Rs_NAA]/N?，N是AA接触孔的数目，N/2是测试结构中n型AA方块电阻的数目。而金属电阻的影响可以忽略。

测量p型AA接触电阻的基本原理是在电阻的一端和衬底加载电压1VDC电压，另一端接地，从而测得电流Ip，Rc_PAA=[1/Ip-(N/2)*Rs_PAA]/N?，N是AA接触孔的数目，N/2是测试结构中p型AA方块电阻的数目。而金属电阻的影响可以忽略。;影响AA接触电阻的因素包括以下几方面：

N+和P+离子注入异常；

接触孔刻蚀尺寸异常；

硅金属化相关工艺异常。;CMOS工艺平台的Poly接触电阻有四种类型的电阻，它们分别是n型Poly接触电阻和p型Poly接触电阻。

与AA接触电阻类似，Poly接触电阻的版图也是链条结构的两端器件，设计成链条结构的目的也是减小其它的影响因素，从而得到一个更精确的阻值。参考Poly方块电阻测试结构的设计，Poly接触电阻是在STI上的，并且它与衬底Psub是完全隔离的，通常也会把Poly接触电阻设计在NW里。

Poly接触电阻的WAT参数包括Rc_NPoly（n型Poly接触电阻）和Rc_PPoly（p型Poly接触电阻）。

;AA接触电阻的测试结构;测量Poly接触电阻的基本原理是在电阻的一端加载电压1VDC电压，另一端接地，从而测得电流In或者Ip，Rc_NPoly=[1/In-(N/2)*Rs_NPoly]/N?或者Rc_PPoly=[1/Ip-(N/2)*Rs_PPoly]/N?，N是poly接触孔的数目，N/2是测试结构中Poly方块电阻的数目。而金属电阻的影响可以忽略。?;影响Poly接触电阻的因素包括以下几方面：

N+和P+离子注入异常；

接触孔刻蚀尺寸异常；

硅金属化相关工艺异常。;CMOS工艺平台的金属通孔接触电阻包含该平台的所有通孔层，例如如果该平台使用五层金属层，那么金属通孔接触电阻就有第一层金属与第二层金属间的通孔、第二层金属与第三层金属间的通孔、第三层金属与第四层金属间的通孔、第四层金属与第五层金属间的通孔(也称顶层通孔?)。这节内容仅仅以后端AL制程工艺的第一层金属与第二层金属间的通孔接触电阻为例?,也称它为VIA1接触电阻?。

与AA接触电阻类似，VIA1接触电阻的版图也是链条结构的两端器件，设计成链条结构的目的也是减小其它的影响因素，从而得到一个更精确的阻值。;测量VIA1接触电阻的基本原理是在电阻的一端加载电压1VDC电压?，另一端接地，从而测得电流Ib，Rc_VIA1=(1/Ib)/N，N是VIA1接触孔的数目。而金属电阻的影响可以忽略。?;影响金属通孔接触电阻的因素包括以下几方面：

VIA1刻蚀尺寸异常；?

Ti/TiN相关工艺异常。;谢谢