《集成电路制造工艺与工程应用》第十六讲.pptxVIP

第十六讲：亚微米前段工艺制程技术;内容;侧墙工艺

源漏离子注入工艺;侧墙工艺：是指形成环绕多晶硅的氧化介质层侧墙，防止重掺杂的源漏离子注入到LDD结构的扩展区。侧墙由两个主要工艺步骤形成，首先淀积一层二氧化硅，再利用各向异性干法刻蚀去除表面的二氧化硅，最终多晶硅栅侧面保留一部分二氧化硅。

淀积氧化硅侧墙结构。利用APCVD淀积一层厚度约3000?的二氧化硅层。利用TEOS和O3在400℃发生反应氧化TEOS形成二氧化硅淀积层。TEOS是一种含有硅与氧的有机硅化物四乙基氧化硅Si(OC2H5)4，在室温常压下为液体，TEOS的台阶覆盖率非常好。侧墙结构可以保护?PLDD和NLDD结构，同时防止栅和源漏孔金属之间发生漏电。?;侧墙刻蚀。利用各向异性干法蚀刻形成侧墙，刻蚀的气体是Cl2和CF4。因为在栅两边的氧化物在垂直方向较厚，在蚀刻同样厚度的情况下，拐角处留下一些不能被蚀刻的氧化物，因此形成侧墙。;源漏离子注入工艺：通过离子注入掺杂形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺，降低器件有源区的串联电阻，提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n型和p型阱接触的有源区，或者n型和p型有源区电阻，或者n型和p型多晶硅电阻。

清洗。将晶圆放入清洗槽中，得到清洁的表面，防止表面的杂质在生长氧化层时影响氧化层的质量。

衬底氧化。利用炉管热氧化生长一层厚度约100?的氧化层，利用O2在850℃左右的温度下使衬底硅氧化，修复蚀刻时的损伤，氧化硅非晶层可以防止离子注入隧道效应，隔离衬底硅与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染硅衬底。;N+光刻处理。通过微影技术将N+掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成N+的光刻胶图案，非N+区域上保留光刻胶。N+为NMOS源和漏的离子重掺杂离子注入，以及扩散区和多晶硅重掺杂离子注入。AA作为N+光刻曝光对准。;量测N+光刻套刻。收集曝光之后的N+光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。;N+离子注入。低能量、浅结深、重掺杂的砷离子注入，形成了重掺杂NMOS的源和漏，以及形成n型扩散区和多晶硅。采用离子注入的方法，降低NMOS源和漏的串联电阻，提高NMOS的???作速度。

去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;P+光刻处理。通过微影技术将P+掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成P+的光刻胶图案，非P+区域上保留光刻胶。P+为PMOS源和漏的离子重掺杂离子注入，以及扩散区和多晶硅重掺杂离子注入。AA作为P+光刻曝光对准。

量测P+光刻套刻。收集曝光之后的P+光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。;P+离子注入。低能量、浅结深、重掺杂的二氟化硼离子注入，形成了重掺杂PMOS的源和漏，以及形成P型扩散电阻和多晶硅电阻。采用离子注入的方法，降低PMOS源和漏的串联电阻，提高PMOS的操作速度。

去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

清洗。将晶圆放入清洗槽中，得到清洁的表面，防止表面的杂质在后续退火工艺中扩散到内部。;N+和P+退火激活。利用快速热退火(RTP)在950℃的H2环境中，退火时间是10秒~20秒，退火的目的是修复离子注入造成的硅表面晶体损伤，激活离子注入的杂质。

去除隔离氧化层。湿法刻蚀利用一定比例的HF、NH4F和H2O去除氧化层。因为这层氧化硅已经被侧墙干法刻蚀损伤，所以需要去除它，并在后面重新生长一层氧化硅。;清洗。将晶圆放入清洗槽中，得到清洁的表面,防止表面的杂质在后续热氧化过程中扩散到衬底。

生长氧化层。利用炉管热氧化生长一层厚度约100?的氧化层，利用O2在850℃左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化。隔离和保护衬底，防止ILD中的杂质向衬底扩散，影响器件性能。;淀积SiON。利用PECVD淀积一层厚度约200?~300?的SiON薄膜，利用硅烷（SiH4）、一氧化二氮（N2O）和He在400℃的温度下发生化学反应形成SiON淀积。SiON层可以防止BPSG中的B，P析出向衬底扩散，影响器件性能。;谢谢