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第四讲：隔离技术;内容;隔离技术
PN结隔离技术
LOCOS（硅局部氧化）隔离技术
;隔离技术;PN结隔离技术;LOCOS隔离技术的概念
LOCOS隔离技术工艺流程
鸟嘴效应
白带效应
穿通问题
寄生场效应管
场区离子注入工艺流程
;LOCOS隔离技术的概念;LOCOS隔离技术工艺流程;;LOCOS隔离技术工艺流程;LOCOS隔离技术存在两个严重问题：鸟嘴（bird’sbeak）和白带效应。
鸟嘴效应：生长LOCOS场区氧化层的过程中需要消耗掉大约44%的硅，氧原子既纵向扩散越过已生长的氧化物与正下方的硅反应生产成氧化物，氧原子也横向扩散与Si3N4掩膜下硅反应生产成氧化物。LOCOS场区氧化层的中部是凸起的并向两边横向延伸凹入Si3N4掩膜下的有源区，进入Si3N4掩膜下的氧化物会逐渐变薄形成鸟嘴的形状，所以横向延伸凹入有源区的现象被称为鸟嘴效应。;改善鸟嘴效应的方法：
降低场氧的厚度：嘴效应与LOCOS场氧的厚度成正比，但是降低场氧的厚度会影响LOCOS对器件的隔离效果，并且寄生场效应晶体管NMOS会更容易导通形成漏电。要对鸟嘴效应和LOCOS场氧的厚度进行折中考虑。
降低前置氧化层的厚度：鸟嘴效应与前置氧化层的厚度成正比，通常鸟嘴效应凹进有源区的尺寸大于等于前置氧化层的厚度，鸟嘴效应会随着LOCOS场区氧化层或者前置氧化层的厚度的增大而变得越发显著。但是减小前置氧化层的厚度会造成衬底位错形成缺陷，因为很薄的前置氧化层的厚度不足以抵消Si3N4薄膜对衬底的应力。要对鸟嘴效应和前置氧化层的厚度进行折中考虑。;白带效应：LOCOS场氧是在高温湿氧的环境下生长，同时Si3N4也会通过化学反应生成NH3，NH3会扩散到Si/SiO2界面与Si反应形成Si3N4，这些Si3N4在有源区的边缘形成一条白带，影响后续生长的栅氧化层的质量并导致栅氧的击穿电压下降，这种效应称为白带效应。
改善白带效应的方法：在生长栅氧化层之前，生长一层牺牲层氧化物（SacrificialPre-GateOxide），通过牺牲层氧化物消耗掉白带区域的Si3N4，然后再利用湿法刻蚀去掉牺牲层氧化物，这样可以有效的改善白带效应。
;穿通问题：NMOS的漏端n型有源区与NW之间会发生穿通问题，NMOS漏端???NW之间相互靠近时，它们之间的势垒高度开始减小，电子越过这个势垒形成漏电流。类似的情况还有PMOS漏端与PW的穿通问题。
影响穿通的因素：偏置电压、NW和PW的掺杂浓度。
改善穿通的方法：增大NMOS的漏端n型有源区与NW之间的距离。为了避免器件间形成漏电了，NMOS的漏端n型有源区与NW之间的距离有一个最小的安全宽度（称为designrule）。芯片工作工作电压越大，designrule最小值也越大。
;寄生场效应管：当金属引线从NMOS的漏端与NW之间的PW上方跨过时，会形成寄生的场效应晶体管NMOS，NMOS漏端n型有源区是源端，NW是漏端，金属互连线是栅极。
影响寄生场效应管的因素：
芯片内部金属连线的电压足够大；（例如HV-CMOS和BCD工艺集成电路）
LOCOS和ILD的厚度。
PW掺杂浓度。
改善寄生场效应管的方案：在生长场区氧化层之前，要增加一道场区离子注入工艺流程，从而提高寄生场效应晶体管的阈值电压。
;场区离子注入工艺流程;场区离子注入工艺流程;谢谢
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