《集成电路制造工艺与工程应用》第十二讲.pptxVIP

第十二讲：亚微米前段工艺制程技术;内容;衬底制备

双阱工艺;亚微米CMOS前段工艺制程的特点：它是双阱结构（NW和PW），如果需要用完全隔离的NMOS器件，需要DNW（DeepNW），隔离技术是PN结隔离和LOCOS隔离，金属硅化物是Polycide，不过为了提高集成电路的性能，在0.35um技术也可能用到Salicide，这里仅仅以Polycide为例。

示例工艺流程中的器件：工艺步骤中只包含七个器件，低压NMOS和PMOS组成低压反相器，中压NMOS和PMOS组成中压反相器，以及n型和p型多晶硅电阻，每一个主要步骤中都会有工艺的剖面图。

;衬底制备：业界通常选择晶向100的p型裸片作为衬底。在制造器件之前，要对衬底进行必要的清洗，从而得到清洁的衬底表面，还要对晶圆进行刻号标记。

衬底选材。选用P型晶圆材料裸片做为衬底，电阻率为8~12ohm/cm，晶向为100。因为100晶向具较小的缺陷密度，可生长出质量很好的栅氧化层，它的界面态密度最小，载流子具有较高的迁移率，所以器件的速度也会更快。

清洗。利用化学和物理的方法清除衬底自然氧化硅，同时去除晶圆表面的杂质尘粒、有机物和金属离子。防止这些杂质对后续的工艺造成影响，这些金属离子扩散到衬底会导致器件失效。;生长初始氧化硅。利用炉管热氧化生长一层厚度约100?~200?二氧化硅薄膜，它是干氧氧化法。生长初始氧化硅的同时也会消耗表面硅，有利于去除晶圆表面的污染物和缺陷，得到清洁的表面。二氧化硅可以阻挡后面工序中激光刻号的融渣，防止它损伤衬底。二氧化硅也可以隔离衬底硅与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染衬底硅。因为在电子级的硅片中，光刻胶中的氧和碳杂质是无法完全被移除的。这些杂质会以缺陷中心的形式存在，导致PN结击穿电压降低。

晶圆刻号。用激光在晶圆底部凹口附近刻出晶圆的编码。晶圆的编码相当于该片晶圆的身份证帐户，该帐户是用来记录该片晶圆的所有生产加工数据，工厂可以通过编码追踪这片晶圆的生产情况。;清洗。利用酸槽清除激光刻号时留在晶圆表面的尘埃和颗粒。

第零层光刻处理。通过微影将第零层掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成第零层的光刻胶图案。利用晶圆的凹口作为第零层曝光对准。晶圆有两个第零层的图案分别位于晶圆的两点钟和八点钟方向的位置。;第零层刻蚀处理。利用干法刻蚀，刻蚀出第零层，目的是在Si上刻出精确的对准图形，ASML公司的光刻机台需要第零层的图形作为全局对准。

去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶，干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，然后湿法刻蚀利用H?SO?和H2O2与光刻胶反应去掉残留的光刻胶。

去除初始氧化层。利用湿法刻蚀，用一定比例的HF、NH4F和H2O去除初始氧化层。

;双阱工艺：是指通过离子注入掺杂形成NW和PW的工艺。对于CMOS工艺制程技术，NMOS是制造在PW里，PMOS是制造在NW里，目的是形成PN结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性，例如改善CMOS的闩锁效应。评价阱的关键参数是结深和阱电阻。?

清洗。清洗槽的溶液是一定比例的NH4OH、H2O2和H2O，得到清洁的表面。

生长隔离氧化硅。利用炉管热氧化生长一层厚度约100?~200?的二氧化硅薄膜，它是干氧氧化法。该层氧化硅是非晶层，可以防止阱离子注入隧道效应，同时隔离衬底硅与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染衬底硅。?;PW光刻处理。通过微影技术将PW掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成PW的光刻胶图案，非PW区域保留光刻胶。第零层作为PW光刻曝光对准。;量测PW套刻。收集曝光之后的PW与第零层的套刻数据，检查PW与第零层是否对准，是否符合产品规。

检查显影后曝光的图形。通过机台扫描晶圆，查看是否有缺陷，例如光刻胶倒塌，散焦。;PW离子注入。注入硼离子形成P型的阱，PW离子注入必须在LOCOS场氧形成之前，因为LOCOS的场氧氧化硅厚度大概4500?~5500?，如此厚的场氧会严重影响离子注入的深度。

去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;NW光刻处理。与PW光刻处理类似。通过微影技术将NW掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成NW的光刻胶图案，非NW区域保留光刻胶。第零层作为NW光刻曝光对准。

量测NW套刻。收集曝光之后的NW与第零层的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。;NW离子注入。与PW类似，注入磷离子形成N型的阱，NW离子注入也必须在LOCOS场氧形成之前。

去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

清洗。将