《集成电路制造工艺与工程应用》第十五讲.pptxVIP

第十五讲：亚微米前段工艺制程技术;内容;多晶硅栅工艺

轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺;多晶硅栅工艺：是指形成MOS器件的多晶硅栅极，栅极的作用是控制器件的关闭或者导通。淀积的多晶硅是未掺杂的，它是通过后续的源漏离子注入进行掺杂，PMOS栅是p型掺杂，NMOS栅是n型掺杂。多晶硅栅的费米能级会随掺杂的类型和杂质浓度而改变，多晶硅栅的费米能级会改变它的功函数，从而改变器件的阈值电压，可以通过调节多晶硅栅的掺杂来调节器件的阈值电压。

淀积多晶硅栅。利用LPCVD淀积一层厚度约3000?的多晶硅，利用SiH4在630℃左右的温度下发生分解并淀积在加热的晶圆表面。?;淀积WSi2（硅化钨）。通过LPCVD淀积硅化物WSi2薄膜，利用SiH4和WF6在400℃左右的温度下发生化学反应，形成厚度约1500?的WSi2。

淀积SiON。利用PECVD淀积一层厚度约200?~300?的SiON层，利用SiH4、N2O和He在400℃的温度下发生化学反应形成SiON淀积。SiON层作为光刻的底部抗反射层。

清洗。将晶圆放入清洗槽中，得到清洁的表面。;栅极光刻处理。通过微影技术将栅极掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成栅极的光刻胶图案，器件栅极区域上保留光刻胶。AA作为栅极光刻曝光对准。

;量测栅极光刻关键尺寸。

量测栅极光刻套刻。收集曝光之后的栅极光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

;栅极刻蚀。利用干法刻蚀去除没有光刻胶覆盖的多晶硅形成器件的栅极。

第一步刻蚀：是利用Cl2去除WSi2；

第二步刻蚀：是利用Cl2和HBr刻蚀多晶硅。刻蚀会停在氧化物上，因为当刻蚀到氧化物时，终点侦测器会侦查到氧化物的成分，提示多晶硅刻蚀已经完成，为防止有多晶硅残留导致短路，还会刻蚀一段时间，称为“OverEtch”。

去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;轻掺杂漏离子注入工艺：是指在栅极的边界下方与源漏之间形成低掺杂的扩展区，该扩展区在源漏与沟道之间形成杂质浓度梯度，从而减小漏极附近?的峰值电场，达到改善HCI效应和器件可靠性的目的。?

清洗。将晶圆放入清洗槽中，得到清洁的表面。

衬底和多晶硅氧化。利用炉管热氧化生长一层厚??约150?的氧化层，利用O2在850℃左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化，修复蚀刻时的损伤，表面的氧化硅可以防止离子注入隧道效应，隔离衬底硅与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染硅衬底。;PLDD光刻处理。通过微影技术将PLDD掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成PLDD的光刻图案，非PLDD区域上保留光刻胶。PLDD是用于控制PMOS管漏极轻掺杂，削弱HCI效应。PLDD掩膜版是通过逻辑运算得到的。AA作为PLDD光刻曝光对准。?;量测PLDD光刻套刻。收集曝光之后的PLDD光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

PLDD离子注入。低能量、浅结深、低掺杂的二氟化硼（BF2）离子注入。PLDD可以有效的削弱PMOS的HCI效应，但是采用PLDD离子注入的方法的缺点使制程复杂，并且轻掺杂也会使源和漏串联电阻增大，导致PMOS速度降低。;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

NLDD光刻处理。通过微影技术将NLDD掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成NLDD的光刻胶图案，非NLDD区域上保留光刻胶。NLDD是用于控制NMOS管漏极轻掺杂，削弱HCI效应。NLDD掩膜版是通过逻辑运算得到的。AA作为NLDD光刻曝光对准。?

;量测NLDD光刻套刻。收集曝光之后的NLDD光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

NLDD离子注入。低能量、浅结深、低掺杂的砷离子注入，NLDD可以有效的削弱NMOS的HCI效应，但是采用NLDD离子注入的方法的缺点使制程复杂，并且轻掺杂使源和漏串联电阻增大，导致NMOS的速度降低。

;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

清洗。将晶圆放入清洗槽中，得到清洁的表面，防止表面的杂质在后续退火工艺中扩散到内部。

LDD退火激活。利用快速热退火工艺(RTP)在950℃的H2环境中，退火时间是5秒左右，目的是修复离子注入造成的硅表面晶体损伤，激活离子注入的杂质。

;谢谢