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第四十二讲：晶圆接受测试（WAT）;内容;AA隔离的测试条件
Poly隔离的测试条件
金属隔离的测试条件;CMOS工艺平台的检测AA隔离的结构有两种类型，它们分别是n型AA隔离和p型AA隔离。AA隔离测试结构的版图是交叉梳状非串联的两端器件。
n型AA隔离测试结构必须设计在PW里面。p型AA隔离测试结构必须设计在NW里面。
;P型AA隔离测试结构必须设计在NW里面。;测量AA击穿电压的基本原理是在测试结构的一端加载反向电压，另一端和衬底接地，从而测得漏电流Ib，当漏电流达到1uA时，此时测试结构击穿。此时加载在测试结构两端的电压就是击穿电压。
它的基本方法是首先在测试结构的一端n型扩散区加载DC扫描电压Vb，Vb从0V到12V，另一端n型扩散区和衬底接地，从而测得漏电流Ib，得到Vb在Ib=1uA时的值，BV_NAA=Vb就是击穿电压。
它的基本方法是首先在测试结构的一端p型扩散区加载DC扫描电压Vb，Vb从0V到12V，另一端p型扩散区和衬底接地，从而测得漏电流Ib，那么Vb在Ib=1uA时的值就是击穿电压。;影响AA隔离的因素包括以下几方面：
N+和P+离子注入异常；
AA刻蚀尺寸异常；
阱离子注入工艺异常。;CMOS工艺平台的检测Poly隔离的结构有两种类型，它们分别是n型Poly隔离和p型Poly隔离。
Poly隔离测试结构的版图也是交叉梳状非串联的两端器件。参考Poly方块电阻测试结构的设计，Poly隔离测试结构是在STI上的，并且它与衬底Psub是完全隔离的，Poly隔离测试结构可以设计在NW或者PW里，这一节以设计在NW里为例。;测量Poly隔离击穿电压的基本原理是在测试结构的一端加载反向电压，另一端接地，从而测得漏电流Ib，当漏电流达到1uA时，此时测试结构击穿，加载在测试结构两端的电压就是击穿电压。
n型Poly隔离击穿电压和p型Poly隔离击穿电压的测试方法是一样的。首先在测试结构的一端加载DC扫描电压Vb，Vb从0V到20V，另一端接地，从而测得漏电流Ib，那么Vb在Ib=1uA时的值就是击穿电压。;影响Poly隔离的因素包括以下几方面：
Poly刻蚀尺寸异常。
侧墙工艺异常。;CMOS工艺平台的检测金属隔离的结构包含该平台的所有金属层，例如如果该平台使用五层金属层，那么检测金属隔离的结构就有第一层金属隔离、第二层金属隔离、第三层金属隔离、第四层金属隔离和第四层金属隔离。这节内容仅仅以后端AL制程工艺的第一层金属隔离为例。
M1隔离测试结构的版图也是交叉梳状非串联的两端器件。;测量M1隔离击穿电压与测量Poly隔离击穿电压的测试方法是一样的。首先在测试结构的一端加载DC扫描电压Vb，Vb从0V到20V，另一端接地，从而测得漏电流Ib，那么Vb在Ib=1uA时的值就是击穿电压。;影响M1隔离的因素包括以下几方面：
M1刻蚀尺寸异常；
淀积IMD1工艺异常。;谢谢
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