《集成电路制造工艺与工程应用》第十一讲.pptxVIP

第十一讲：金属互连技术;内容;金属互连技术

接触孔和通孔金属填充

铝金属互连

铜金属互连

阻挡层金属;金属互连的概念：是指通过金属导电材料形成连线将不同的器件连接起来形成电路，同时也可以把外部的电信号传输到芯片内部不同的部位，从而形成具有一定功能的芯片。

金属互连材料的要求：

电阻率要低。用电阻率低的材料做互连可以降低芯片的损耗和RC延时，提高芯片的速度。

抵御电迁移能力强。金属抵御电迁移的能力可以影响芯片的可靠性。

应力系数小。应力系数小的金属材料可以比较好地粘附到氧化物隔离层上。

台阶覆盖率好。台阶覆盖率好能很好地解决淀积金属工艺时出现空洞的问题。

表面平整度。使金属的方块电阻更均匀，有利于后续的光刻工艺。;金属优缺点比较：

;金属互连工艺的发展概况：

20世纪60年代到70年，把铝作为互连材料和通孔填充材料。

20世纪80年代，钨开始代替铝作为通孔填充材料被引进到亚微米工艺制程中。

问题：随着特征尺寸不断缩小，互连线的线宽和通孔的尺寸越来越小，利用PVD淀积铝填充小尺寸的接触孔会产生空洞影响集成电路的可靠性。

利用CVD淀积钨具有非常好的台阶覆盖率，能解决空洞问题。

20世纪90年代，铜开始代替铝和钨作为金属连线和通孔填充材料被引进到深亚微米工艺制程中。

问题：随着特征尺寸进入深亚微米，RC延时严重影响了集成电路的性能，业界需要通过降低金属互连材料的电阻率和利用低K介质材料来降低集成电路RC延时。

随着CMP工艺技术的出现，利用大马士革结构、铜电镀和CMP技术已经可以克服铜难以刻蚀的技术难题，利用阻挡层已经可以防止铜扩散。;金属互连工艺的分类：

第一类金属接触孔和通孔填充材料；

第二类是金属互连线材料；

第三类是金属阻挡层；;接触孔（Contact）的概念：是指芯片内部器件与第一层金属之间的连接通道，通过接触孔和金属层可以八不同器件连接起来。

通孔（Via）的概念：是指相邻金属层之间的连接通道，通过通孔可以实现相邻金属层之间的连接。;?;通过CVD淀积钨分两个工艺步骤：

第一步是利用WF6与SiH4在400℃的条件下???积一层均匀的钨成核层附着在侧壁和底面。

第二步是利用WF6与H2在400℃的条件下沿着钨成核层淀积大量的钨。钨材料的生长是各向同性等比例，它可以很好地填充通孔。;铝作为互连材料的优点：

铝成本低廉，电阻率较低。

铝能够很容易附着在氧化硅上，因为铝能与氧化硅反应形成氧化铝界面，使铝附着在氧化硅上。

刻蚀铝的工艺简单，可以通过干法或者湿法刻蚀形成铝互连线。

淀积铝的工艺简单，可以通过CVD和PVD方式淀积铝薄膜，利用PVD方式淀积的铝薄膜质量会更好，并且电阻率会更低。;利用纯铝做互连金属材料存在的问题：第一个是“铝穿刺”问题；第二个是电迁移问题。

“铝穿刺”问题：纯铝与硅会产生相互扩散，穿透有源区进入衬底，导致有源区与衬底发生穿通的现象。

产生“铝穿刺”问题的原因：为了形成低阻的合金接触，淀积铝金属填充接触孔后，需要进行低温退火形成欧姆接触。在形成欧姆接触的过程中，纯铝与有源区硅直接接触，硅会向铝金属中扩散并溶解到铝中，并在有源区形成空洞，铝会填充空洞形成铝金属锥，在450℃时硅在纯铝的溶解度是0.5%，500℃时硅在纯铝的溶解度是1%。;改善“铝穿刺”问题的方法：

利用含1%硅的铝合金材料代替纯铝材料防止硅向铝金属中扩散溶解而产生“铝穿刺”问题，因为硅在铝中的饱和溶解度大约是1%；

淀积金属铝前先预淀积一层金属层（Ti和TiN）作为阻挡层，隔离铝金属与硅，防止硅向铝金属中扩散溶解而产生“铝穿刺”问题。;电迁移问题：金属铝是一种多晶材料，它由许多小的金属单晶颗粒组成，金属单晶颗粒又由金属原子组成。当电流流过铝互连线时，电子流不断沿着单晶纹理碰撞单晶颗粒和金属原子，在这个过程中电子把动量传递给单晶颗粒和金属原子，一些较小的单晶颗粒和金属原子开始松动并沿着纹理向电流的方向移动，它们会产生位移，形成空隙从而破坏铝互连线，在铝互连线损坏的区域，电子流会更加集中，电流密度会更高，这样反而加剧电子流轰击单晶颗粒以及金属原子，导致更多的单晶颗粒和金属原子位移，最终迫使铝互连线形成开路。单晶颗粒和金属原子消耗的区域形成开路，单晶颗粒和金属原子堆积的区域形成小丘，如果表面凸出的小丘足够高大，会造成相邻的金属互连线或者上下层金属线短路。;改善电迁移问题的方法：

利用铝铜合金代替纯铝材料做互连金属材料来改善电迁移。因为铜原子比铝原子重，它可以有效的抑制铝单晶颗粒移动，从而达到改善铝金属互连线电迁移的问题。铜的浓度越高，铝铜合金抵御电迁移的能力越强。然而高的铜浓度会使金属刻蚀过程变得困难，因为铝铜合金的刻蚀气体的主要