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第三十讲：纳米工艺制程技术;内容;通孔2和金属层3工艺;通孔2工艺：是指形成第层二金属和第三层金属的通孔连接互连线。
金属层3工艺：是指形成第三层金属互连线，第三层金属互连线的目的是实现把不同区域的通孔2连起来，以及把不同区域的通孔3连起来。
通孔2和金属层3是都是大马士革的铜结构，先在介质层上挖出一部分通孔2的沟槽，然后再在通孔2沟槽的基础上挖出金属层3的沟槽，最后利用ECP在沟槽里填充Cu。金属层3作为电源走线，连接很长的距离，需要比较低的电阻，所以第三层金属的厚度比较厚。;M3光刻处理。通过微影技术将M3掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成M3光刻胶图案，M3区域上保留光刻胶。M2作为M3光刻曝光对准。;测量M3光刻的关键尺寸。
测量M3套刻数据。收集曝光之后的M3光刻图形与M2对准图形的套刻数据。
检查显影后曝光的图形。;M3硬掩膜干法刻蚀。利用干法刻蚀去除没有光刻胶覆盖的TiN区域。;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。;VIA2光刻处理。通过微影技术将VIA2掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成VIA2光刻胶图案，VIA2区域上保留光刻胶。M3作为VIA2光刻曝光对准。;测量VIA2光刻的关键尺寸。
测量VIA2套刻数据。收集曝光之后的VIA2光刻图形与M2对准图形的套刻数据。
检查显影后曝光的图形。;VIA2干法刻蚀。干法刻蚀利用CF4，CHF3和CO等混合气体产生等离子电浆刻蚀SiCOH层，SiCN作为停止层。;去除ESLSiCN层。利用湿法刻蚀去除SiCN层。
去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。
;M3干法刻蚀。干法刻蚀利用CF4，CHF3和CO等混合气体产生等离子电浆刻蚀SiCOH层，SiCN作为停止层。
去除ESLSiCN层。利用湿法刻蚀去除SiCN层。
;淀积Ta/TaN。利用PVD淀积Ta/TaN。预淀积一层Ta/TaN有助于后续的Cu附着在氧化层上，因为Cu与氧化物之间的粘附性很差，如果没有Ta/TaN的辅助，Cu层很容易脱落。另外Cu在氧化物中很容易扩散，Ta/TaN层作为阻挡层可以有效的防止Cu扩散。
淀积Cu薄籽晶层。利用PVD淀积一层Cu薄籽晶层。预淀积一层厚度约500?Cu薄籽晶层，Cu薄籽晶层作为电镀的阴极。
;电镀淀积铜。利用ECP电镀淀积一层铜作为金属连接层，化学溶液是H2SO4，CuSO4和H2O。
;CuCMP。利用CMP去除表面多余的铜，防止不同区域的金属线短路，留下Cu填充金属互连线区域。氧化层作为CMP的停止层。CMP终点侦察器侦查到IMD3硅玻璃的信号，但还要考虑工艺的容忍度，防止有Cu残留造成短路，所以侦查到终点时，还要进行一定时间的工艺。
清洗。首先利用NH4OH和H2O清洗，再使用HF：H2O（100：1）清洗，最后用超纯净水清洗，得到清洁的表面。
;谢谢
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