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第三十五讲：晶圆接受测试（WAT）;内容;栅氧化层参数的测试结构
Cgox的测试条件
Tgox的测试条件
Bvgox的测试条件
;CMOS工艺技术平台的MOS晶体管栅氧化层完整性（GOI）的测试结构是多晶硅栅-氧化层-PW衬底（NMOS栅氧化层）和多晶硅栅-氧化层-NW衬底（PMOS栅氧化层）的电容结构，它们的版图尺寸是依据工艺技术平台的设计规则设计的。
;栅氧化层在整个工艺流程里是非常关键，它的质量直接影响的MOS晶体管的电性特性，所以利用NMOS栅氧化层和PMOS栅氧化层的参数栅氧化层的电容（Cgox），栅氧化层的厚度（Tgox）和栅氧化层的击穿电压（BVgox）检测它。
;测量栅氧化层电容Cgox的基本原理是在电容的一端加载AC100KHz扫描电压，另一端接地，从而测得电容C，Cgox=C/Area，Area是电容的面积。
测量NMOS栅氧化层电容Cgox，首先在栅电容的一端多晶硅栅上加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端PW衬底接地，测试电容C，Cgox=C/Area。
测量PMOS栅氧化层电容Cgox，首先在栅电容的一端NW衬底上加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端多晶硅栅上接地，测试电容C，Cgox=C/Area。;测量栅氧化层电性厚度Tgox的基本原理是在电容的一端加载AC100KHz扫描电压，另一端接地，从而测得电容C，Cgox=C/Area，利用公式Tgox=(εo*εox*Area)/C，εox=3.9，εo=8.85418，求得电性厚度Tgox，实际上栅氧化层电性厚度Tgox是在栅氧化层电容C的基础上进行计算得到的。
测量NMOS栅氧化层电性厚度的基本方法是首先在栅电容的一端多晶硅栅上加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端PW衬底接地，测试电容C，Tgox=(εo*εox*Area)/C。
测量PMOS栅氧化层电性厚度的基本方法是首先在栅电容的一端NW衬底上加载AC100KHz（VDD或者VDDA）扫描电压，另一端多晶硅栅上接地，测试电容C，Tox=(εo*εox*Area)/C。;栅氧化层电容的介质是二氧化硅。由于二氧化硅是绝缘体，一般情况下是不导电的。但是当存在一个外加电场时，随着外加电场的不断增大，当外加电场强度所提供的能量足以把一部分价带的电子激发到导带时，这时二氧化硅不再表现为绝缘性质，而是开始导电，这时所加载的电压值就是所要测试的电容击穿电压值。
测量NMOS栅氧化层击穿电压BVgox，首先在栅电容一端多晶硅栅上加载DC扫描电压，Vg从0V到12V，另一端PW衬底接地，测试电流Ig，得到Vg在Ig/Area=100pA/um*2时的值，BVgox=Vg就是击穿电压。
测量PMOS栅氧化层击穿电压BVgox，首先在栅电容一端衬底上加载DC扫描电压，Vb从0V到12V，另一端多晶硅栅接地，测试电流Ib，得到Vb在Ib/Area=100pA/um*2时的值，BVgox=Vb就是击穿电压。;影响晶体管栅氧化层的因素包括以下几方面：
阱离子注入异常；
离子注入损伤在退火过程中没有激活；
栅氧化层的厚度异常；
;谢谢
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