《集成电路制造工艺与工程应用》第二十八讲.pptxVIP

第二十八讲：纳米工艺制程技术;内容;IMD1工艺

金属层1工艺

IMD2工艺

;IMD1工艺;IMD1工艺：是指在第一层金属之间的介质隔离材料。IMD1的材料是ULK（UltraLowK）SiCOH材料。

淀积SiCN刻蚀停止层（EtchStopLayer-ESL）。利用PECVD淀积一层厚度600?SiCN，SiCN作为第一层金属刻蚀停止层。;淀积SiCOH层。利用PECVD淀积一层厚度为3000?SiCOH。利用DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和CHO（氧化环乙烯或C6H10O），可以淀积具有CxHy的OSG有机硅玻璃复合膜。利用超紫外（UV）和可见光处理排除有机气体，最终形成多孔的SiCOH介质薄膜。SiCOH作为内部金属氧化物隔离层，可以有效的减小金属层之间的寄生电容。

淀积USG。通过PECVD淀积一层厚度约为500?USG。淀积的方式是利用TEOS在400℃发生分解反应形成二氧化硅淀积层。USG和TiN硬掩膜可以防止去光刻胶工艺中的氧自由基破坏ULK介电薄膜。

淀积TiN硬掩膜版层。利用PVD淀积一层厚度约为300?TiN。通入气体Ar和N2轰击Ti靶材，淀积TiN薄膜。TiN为硬光罩层和防反射层。;金属层1工艺;金属层1工艺：是指形成第一层金属互连线，第一层金属互连线的目的是实现把不同区域的接触孔连起来，以及把不同区域的通孔1连起来。第一金属层是大马士革的铜结构，先在介质层上挖沟槽，再利用ECP（ElectroChemicalPlating，电镀）在沟槽里填充Cu。

M1光刻处理。通过微影技术将M1掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成M1光刻胶图案，M1区域上保留光刻胶。CT作为M1光刻曝光对准。;测量M1光刻的关键尺寸

测量M1套刻数据。收集曝光之后的M1光刻图形与CT对准图形的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

M1硬掩膜干法刻蚀。利用干法刻蚀去除没有光刻胶覆盖的TiN区域。

;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

测量M1的关键尺寸。收集刻蚀后的M1的关键尺寸数据，检查M1的关键尺寸是否符合产品规。

M1干法刻蚀。干法刻蚀利用CF4，CHF3和CO等混合气体产生等离子电浆刻蚀SiCOH层，SiCN作为停止层。

去除ESLSiCN层。利用湿法刻蚀去除SiCN层。;淀积Ta/TaN。利用PVD淀积Ta/TaN。预淀积一层Ta/TaN有助于后续Cu附着在氧化层上，因为Cu???氧化物之间的粘附性很差，如果没有Ta/TaN辅助，Cu层很容易脱落。另外Cu在氧化物中很容易扩散，Ta/TaN层作为阻挡层可以有效的防止Cu扩散。

淀积Cu薄籽晶层。利用PVD淀积一层Cu薄籽晶层。预淀积一层厚度约500?Cu薄籽晶层，Cu薄籽晶层作为电镀的阴极。

电镀淀积铜。利用ECP电镀淀积一层铜作为金属连接层，化学溶液是H2SO4，CuSO4和H2O。;CuCMP。利用CMP去除表面多余的铜，防止不同区域的金属线短路，留下Cu填充金属互连线区域。氧化层作为CMP的停止层。CMP终点侦察器侦查到IMD1硅玻璃的信号，但还要考虑工艺的容忍度，防止有Cu残留造成短路，所以侦查到终点时，还要进行一定时间的工艺。

清洗。首先利用NH4OH和H2O清洗，再使用HF：H2O（100：1）清洗，最后用超纯净水清洗，得到清洁的表面。

;IMD2工艺;IMD2工艺包括IMD2a工艺和IMD2b工艺。IMD2的材料也是ULKSiCOH材料。

IMD2a工艺是形成VIA1的介质隔离材料，同时IMD2a会隔离第一层金属和第二层金属；

IMD2b工艺是形成第二层金属的介质隔离材料。

淀积SiCN刻蚀停止层。利用PECVD淀积一层厚度约为600?SiCN，SiCN作为刻蚀停止层和M1的覆盖层，SiCN可以防止Cu扩散。这样Ta/TaN和SiCN就形成一个容器包裹着Cu，防止Cu向外扩散。;淀积IMD2aSiCOH层。利用PECVD淀积一层厚度为3500?SiCOH。利用DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和CHO（氧化环乙烯或C6H10O），可以淀积具有CxHy的OSG有机硅玻璃复合膜。利用超紫外（UV）和可见光处理排除有机气体，最终形成多孔的SiCOH介质薄膜。SiCOH作为内部金属氧化物隔离层，可以有效的减小金属层之间的寄生电容。

淀积SiCN刻蚀停止层。利用