《集成电路制造工艺与工程应用》第十讲.pptxVIP

第十讲：静电放电离子注入技术;内容;先进工艺技术在ESD方面面临的挑战

静电放电离子注入技术

n型N-ESDIMP工艺

p型P-ESDIMP工艺

ESDGGNMOS的工作原理

P-ESDIMP的工艺流程;先进工艺技术在ESD方面面临的挑战：

具有LDD结构的器件很容易被ESD损伤：LDD工艺技术是为了改善器件的HCI效应，但是LDD结构结深很浅，在深亚微米技术中，LDD结构结深只有0.02um，源和漏极的LDD结构相当于两个“尖端”。

ESD电流会沿Salicide金属表层流动，烧毁器件：Salicide工艺技术是为了改善有源区的串联电阻和接触电阻，在有源区和多晶硅表面形成低阻的Salicide薄膜。

栅氧化层ESD电压变小：栅氧化层厚度不断降低是为了降低器件的阈值电压和工作电压，从而降低功耗，但是随着栅氧化层厚度的不断降低，它的击穿电压也不断降低，它很容易被ESD损伤。;ESD器件的概念：为了改善ESD性能而特别设计的用于输入输出电路的器件称为ESD器件。

改善ESD的方法1：

把SAB工艺技术应用在输入输出电路的器件中。SAB工艺技术是为了避免ESD器件的漏极有源区形成低阻的金属硅化物，防止ESD电流沿有源区表面金属流动，防止ESD电流首先传导到LDD结构或者漏极与栅氧化层的界面，达到保护LDD结构和栅氧化层，最终改善ESD防护能力的目的。;改善ESD的方法2：

把ESDIMP工艺技术应用在输入输出电路的器件中。ESDIMP工艺技术是通过离子注入的方式改变ESDNMOS的LDD结构或者只改变漏极接触孔正下方pn结界面的击穿电压，使漏极接触孔正下方界面的pn结击穿电压比LDD尖端的击穿电压低，达到保护LDD尖端的目的，从而改善ESDNMOS的ESD性能，提高芯片抵御ESD的能力。;为什么只有针对ESDNMOS的ESDIMP：

ESDNMOS是利用自身寄生的BJTNPN开启进行ESD静电放电，因为寄生BJTNPN的ESD放电能力很强。ESDIMP是为了降低骤回击穿(SnapbackBreakdown)开启电压，使BJTNPN在更低的电压下就开启导通放电，保护内部电路。

对于ESDPMOS，它的寄生BJTPNP的性能是比较差，在ESD保护电路中通常是依靠它的寄生p型二极管正向导通进行ESD静电放电。ESDIMP并不能改善ESDPMOS的性能，所以并没有特别针对ESDPMOS的ESDIMP工艺技术。;ESDIMP工艺的实现方法：在标准CMOS工艺流程中增加一道ESDIMP工序，ESDIMP需要一层额外的掩膜版

ESDIMP工艺的有两种类型：（它们都是只针对ESDNMOS的工艺）

一种是n型N-ESDIMP

一种是p型P-ESDIMP;n型N-ESDIMP工艺的特点：

N-ESDIMP工艺应用于0.35μm以上工艺的5V器件。

N-ESDIMP工艺流程是在LDD离子注入后增加一道N-ESDIMP工序，目的是通过离子注入增大ESDNMOS的LDD结构结深，所以N-ESDIMP的ESDNMOS不再具有LDD结构尖端放电的特点，从而提高ESDNMOS的ESD性能。

利用N-ESDIMP工艺可以在同一CMOS工艺中设计出两种不同的NMOS，一种是具有LDD结构的NMOS是供内部电路使用，另一种不具有LDD结构的N-ESDNMOS是供输入输出电路使用。

;N-ESDIMP面临的问题：

N-ESDIMP工艺不能用于制造电压小于5V的短沟道器件。利用N-ESDIMP工艺制造的ESDNMOS拥有较深的LDD结深，它的横向扩散很严重。

ESDNMOS的电特性比传统的NMOS的性能要差。它的驱动能力差、面积大、Ron和寄生电容大，它是通过牺牲器件的性能来提高器件的ESD防护能力。

晶圆厂通常不会花费额外的成本去提取ESDNMOS器件的模型参数。

;p型P-ESDIMP工艺的特点：

P-ESDIMP工艺应用于0.35μm及以下工艺的器件。

P-ESDIMP工艺是在源漏离子注入后增加一道P-ESDIMP工艺步骤，目的是在ESDNMOS漏极有源区正下方与PW的界面形成中等掺杂浓度的P+区，降低该界面pn结的击穿电压，使它的击穿电压比LDD尖端的击穿电压低，达到保护