《集成电路制造工艺与工程应用》第二十五讲.pptxVIP

第二十五讲：深亚微米工艺制程技术;内容;轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺

侧墙工艺

;轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺;轻掺杂漏离子注入工艺：是指在栅极的边界下方与源漏之间形成低掺杂的扩展区，该扩展区在源漏与沟道之间形成杂质浓度梯度，从而减小漏极附近的峰值电场，达到改善HCI效应和器件可靠性的目的。

深亚微米工艺LDD离子注入：包括LDD离子注入、口袋或者晕环离子注入，口袋或者晕环离子注入的目的是为了改善低压器件的短沟道效应。口袋或者晕环离子注入的杂质类型与阱的类型是一样的。

清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗，经过多道清洗工序，得到清洁的表面。

衬底和多晶硅氧化。利用炉管热氧化生长一层厚度约150?的氧化层，利用O2在850℃左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化，修复蚀刻时的损伤，表面的氧化硅可以防止离子注入隧道效应，隔离衬底硅与光刻胶，防止光刻胶中的有机物与硅接触污染硅衬底。;NLDD光刻处理。通过微影技术将NLDD掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成NLDD的光刻胶图案，非NLDD区域上保留光刻胶。NLDD掩膜版是通过逻辑运算得到的，在低压NMOS上形成LDD结构。AA作为NLDD光刻曝光对准。;量测NLDD光刻套刻。收集显影后的NLDD与AA套刻数据。

检查显影后的图形。;NLDD离子注入。低能量、浅深度、低掺杂的砷离子注入，NLDD可以有效削弱低压NMOSHCI效应，但是采用NLDD离子注入法会使制程变复杂，并且轻掺杂使源和漏串联电阻增大，导致NMOS的速度降低。

NLDD离子注入包括二道:

第一道离子注入砷，离子注入的结深比较浅，能量比较低，目的是削弱HCI效应。

第二道离子注入硼，离子注入的结深深一点，能量高一点，作为晕环/口袋离子注入。晶圆要调成45度角，以及晶圆旋转四次。口袋离子注入的作用是防止低压NMOS源漏穿通。因为低压NMOS是短沟道器件，如果没有口袋离子注入，当器件工作在最大电压时，会发生源漏穿通。;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

PLDD光刻处理。通过微影技术将PLDD掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成PLDD光刻胶图案，非PLDD区域上保留光刻胶。PLDD掩膜版是通过逻??运算得到的，在低压PMOS上形成LDD结构。AA作为PLDD光刻曝光对准。;量测PLDD光刻套刻。收集显影后PLDD光刻与AA套刻数据。

检查显影后的图形。;PLDD离子注入。低能量、浅深度、低掺杂的离子注入。PLDD可以有效的削弱低压PMOSHCI效应，但是采用PLDD离子注入法会使源和漏串联电阻增大，导致低压PMOS速度降低。

PLDD离子注入包括二道:

第一道离子注入BF2，离子注入的结深比较浅，能量比较低，主要是削弱HCI效应。

第二道离子注入磷，离子注入的结深深一点，能量高一点，作为晕环/口袋离子注入，晶圆要调成45度角，以及晶圆旋转四次。口袋离子注入的作用是防止低压PMOS源漏穿通。因为低压PMOS是短沟道器件，如果没有口袋离子注入，当器件工作在最大电压时，会发生源漏穿通。;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

NLDD1光刻处理。通过微影技术将NLDD1掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成NLDD1的光刻胶图案，非NLDD1区域上保留光刻胶。NLDD1掩膜版是通过逻辑运算得到的，在中压NMOS上形成LDD结构。AA作为NLDD1光刻曝光对准。;测量NLDD1光刻套刻。收集显影后NLDD1与AA套刻数据。

检查显影后的图形。

NLDD1离子注入。低能量、浅深度、低掺杂的砷离子注入，NLDD1可以有效的削弱中压NMOSHCI效应，但是采用NLDD1离子注入法的缺点使制程复杂，并且轻掺杂使源和漏串联电阻增大，导致中压NMOS速度降低。NLDD1只有一道离子注入，没有口袋离子注入。因为中压NMOS并不是短沟道器件，当器件工作在最大电压时，不会发生源漏穿通。;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

PLDD1光刻处理。通过微影技术将PLDD1掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成NLDD1的光刻胶图案，非PLDD1区域上保留光刻胶。PLDD1掩膜版是通过逻辑运算得到的。AA作为PLDD1光刻曝光对准。

;测量PLDD1光刻套刻。收集显影后PLDD1与AA套刻数据。

检查显影后的图形。

;PLDD1离子注入。低能量、浅深度、低掺杂的BF2离子注入。PLDD1可以有效的削弱中压PMOSHCI效应，但是采用PLDD1离子注入法会使源和漏