《集成电路制造工艺与工程应用》第二十七讲.pptxVIP

第二十七讲：纳米工艺制程技术;内容;ILD工艺

接触孔工艺;纳米CMOS后段工艺制程的特点：利用钨作为器件与第一层金属的连接材料，而不同的金属层之间的通孔材料以及金属层的互连材料都是铜。为了改善RC，纳米工艺技术采用ULK（UltraLowK超低介电常数）介质材料SiCOH作为后端金属间的隔离材料，利用SiCOH代替FSG可以有效地降低金属间的寄生电容C，从而降低RC。工艺步骤中每一个主要步骤中都会有工艺的剖面图。

;ILD工艺;ILD工艺：指在晶体管与第一层金属之间形成的介质材料，形成电性隔离。ILD介质层可以有效的降低金属与衬底之间的寄生电容，改善金属横跨不同的区域而形成寄生的场效应晶体管。ILD的介质材料是氧化硅。

淀积USG。通过SACVD淀积厚度约为500~600?USG。利用TEOS和O3在400℃发生反应形成SiO2。USG为不掺杂的SiO2，USG可以防止BPSG中析出的硼和磷扩散到衬底，造成衬底污染。;淀积BPSG。利用APCVD淀积一层厚度约为8000~9000?BPSG。利用O3、TEOS、B(OC2H5)3和PO(OC2H5)3在加热的条件下发生反应形成BPSG淀积层。BPSG是含硼（B）和磷（P）的硅玻璃，它们的含量控制在3~5%。BPSG有利于平坦化，BPSG中掺硼可以降低回流所需的温度，掺磷可吸收钠离子和防潮。

BPSG回流。利用LPCVD加热到660℃，在N2的环境下，使BPSG回流，填充空隙，从而实现局部平坦化，以利于后续的工艺。在回流的过程中，BPSG中的B和P会析出。;酸槽清洗去除硼和磷离子。将晶圆放入清洗槽中，清洗槽的溶液是一定比例的NH4OH、H2O2和H2O，利用酸槽将BPSG回流时析出的硼和磷清除。

淀积USG。通过SACVD淀积厚度约为5000?USG。利用TEOS和O3在400℃发生反应形成SiO2。因为BPSG的研磨速率较慢和硬度过小，所以淀积一层USG，避免BPSG被CMP划伤和提高效率。

ILDCMP。通过CMP实现ILD平坦化，以利于后续淀积金属互连线和光刻工艺。因为ILDCMP没有停止层，所以必须通过控制CMP工艺的时间来达到特定的ILD厚度。

;量测ILD厚度。收集CMP之后的ILD厚度数据，检查是否符合产品规格。

清洗。首先利用NH4OH和H2O清洗，再使用HF：H2O（100：1）清洗，最后用超纯净水清洗，得到清洁的??面。

淀积USG。通过SACVD淀积厚度约为5000?USG。利用TEOS和O3在400℃发生反应形成SiO2。目的是隔离BPSG与上层金属，防止BPSG中析出的硼和磷扩散影响上层金属，以及修复CMP对表面的损伤。

淀积SiON。利用PECVD淀积一层厚度约200?~300?SiON层，利用硅烷（SiH4）、一氧化二氮（N2O）和He在400℃的温度下发生化学反应形成SiON淀积。SiON层作为光刻的底部抗反射层(BARC)。

;接触孔工艺：是指在ILD介质层上形成很多细小的垂直通孔，它是器件与第一层金属层的连接通道。通孔的填充材料是金属钨（W），接触孔材料不能用Cu，因为Cu很容易在氧化硅和衬底硅中扩散，Cu扩散会造成器件短路。因为淀积钨的工艺是金属CVD，金属CVD具有优良的台阶覆盖率以及对高深宽比接触通孔无间隙的填充。

CT（Contact）光刻处理。通过微影技术将CT掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成CT的光刻胶图案，非CT区域上保留光刻胶。AA作为CT光刻曝光对准。;量测CT光刻的关键尺寸。

量测CT光刻套刻。收集曝光之后的CT光刻与AA的套刻数据。

检查显影后曝光的图形。

CT干法刻蚀。干法刻蚀利用CHF3和CF4等气体形成等离子体轰击去除无光刻胶覆盖区域的氧化物，获得垂直的侧墙形成接触通孔，提供金属和底层器件的连接。SiON作为刻蚀的缓冲层，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物锐减，刻蚀最终停在硅上面。

;去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。

清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的表面。

量测CT刻蚀关键尺寸。

Ar刻蚀。PVD前用Ar离子溅射清洁表面。

淀积Ti/TiN层。利用PVD的方式淀积200?Ti和500?TiN。首先通入气体Ar轰击Ti靶材，淀积Ti薄膜。再通入气体Ar和N2轰击Ti靶材，淀积TiN薄膜。Ti/TiN层可以防止钨