变温霍尔效应实验报告.docxVIP

变温霍尔效应试验汇报

摘要

本试验我们研究了样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化状况。试验中，我们运用液氮沸腾吸热原理和反馈加热的措施来控制样品的温度。通过测量不一样温度下的霍尔电压来计算出变温状况下的霍尔系数，画出温度80-280k范围内样品的lnR

关键词霍尔效应，霍尔电压，霍尔系数。

引言

1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的状况时，发目前垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几种数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的推进作用，直到目前，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要试验措施。运用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，运用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机构(本征导电和杂质导电)和散射机构(晶格散射和杂质散射)，深入确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。

在本试验中，采用范德堡测试措施，测量样品霍尔系数随温度的变化，估算电子迁移率和空穴迁移率的比值。

试验原理

（一）半导体内的载流子

根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不一样的机制：本征激发和杂质电离。

1、本征激发

在一定的温度下，由于原子的热运动，价键中的电子获得足够的能量，挣脱共价键的束缚，成为可以自由运动的电子。这时在本来的共价键上就留下了一种电子空位，邻键上的电子随时可以跳过来填充这个空位，从而使空位转移到邻键上去，因此空位也是可以移动的。这种可以自由移动的空位被称为空穴。半导体不仅靠自由电子导电，并且也靠这种空穴导电。半导体有两种载流子，即电子和空穴。

从能带来看，构成共价键的电子也就是填充价带的电子，电子挣脱共价键而形成一对电子和空穴的过程，就是一种电子从价带到导带的量子跃迁过程。

纯净的半导体中费米能级位置和载流子浓度只是由材料自身的本征性质决定的，这种半导体称本征半导体。本征半导体中，在电子—空穴对的产生过程中，每产生一种电子，同步也产生一种空穴，因此，电子和空穴浓度保持相等，这个共同的浓度用表达，称为本征载流子浓度。这种由半导体自身提供，不受外来掺杂影响的载流子产生过程一般叫做本征激发。

2.、杂质电离

绝大部分的重要半导体材料都具有一定量的浅杂质，它们在常温下的导电性能，重要由浅杂质决定。浅杂质分为两种类型，一种是可以接受价带中激发的电子变为负离子，称为受主杂质。由受主杂质电离提供空穴导电的半导体叫做P型半导体。尚有一种可以向半导体提供一种自由电子而自身成为正离子，称为施主杂质。这种由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做n型半导体。

设P型半导体中具有一种受主杂质，能级为，空穴密度为，价带顶能级为，为价带有效能级密度。在足够低的温度下，载流子是价带中电子激发到受主能级后所留下的空穴。这时价带中的空穴数目P和占有电子的受主能级数目相等。在T很低，kT比小诸多时，

（1）

上式两边取对数得

（2）

做曲线，它近似成直线，由此直线的斜率可求得受主杂质的电离能。

在T较高时，(3)

阐明这时受主杂质已几乎完全电离，价带中的空穴数已靠近受主杂质数，处在杂质电离饱和区。同理对n型半导体可以得出电子浓度：

（4）

式中为导带有效能级密度，为导带底能级，为受主密度，为受主杂质能级。

两边取对数：

（5）

作曲线，它近似为一直线，由此直线斜率可求得施主杂质的电离能。

（二）霍耳效应

1、霍耳效应

霍耳效应是一种电流磁效应。当样品通以电流I，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一种霍耳电势差：

（6）

与样品厚度d成反比，与磁感应强度B和电流I成正比。比例系数叫做霍耳系数。

当电流通过样品（假设为p型）时，垂直磁场对运动电荷产生一种洛伦兹力,使电荷产生横向的偏转。偏转的载流子停在边界积累起来，产生一种横向电场E，直到电场对载流子的作用力F=qE与磁场作用的洛伦兹力相抵消为止，即

（7）

这时电荷在样品中流动时将不再偏转，霍耳电势场就是由这个电场建立起来