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《半导体硅片微裂纹缺陷激光激励红外热波检测技术研究》
一、引言
随着半导体技术的飞速发展,硅片作为其核心材料之一,其质量与性能的检测显得尤为重要。微裂纹作为硅片中常见的一种缺陷,其存在严重影响着半导体器件的可靠性和使用寿命。因此,准确、快速地检测出微裂纹成为了业界的迫切需求。传统的硅片微裂纹检测方法存在效率低下、精确度不够等不足。针对这些问题,激光激励红外热波检测技术应运而生,以其高精度、高效率的优点成为了研究热点。
二、激光激励红外热波检测技术原理
激光激励红外热波检测技术利用激光器产生的激光束照射在硅片表面,通过激光与物质相互作用产生热效应,进而激发出微裂纹处的热波。这些热波通过红外探测器
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