电子行业深度研究报告：光刻胶，半导体国产代替核心材料，国内厂家有望迎来发展新阶段(202306).pdfVIP

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电子行业深度研究报告

光刻胶：半导体国产替代核心材料，国内厂

家有望迎来发展新阶段

光刻胶为半导体核心材料，景气周期与自主可控共振迎来发展新阶段。光刻

是半导体加工中最重要的工艺之一，决定着芯片的最小特征尺寸。光刻占芯

片制造时间的40-50%，占其总成本的30%。光刻胶是光刻环节关键耗材，其

质量和性能与电子器件良品率、器件性能可靠性直接相关。根据SEMI数

据，2021年光刻胶在晶圆制造材料市场中占比6.1%，而光刻胶基本被日美垄

断，国产化率不足10%。复盘国内光刻胶上市公司股价走势，半导体景气周

期与自主可控两大因素对股价影响大。从当前时点看下游普遍预期23H2迎来

复苏，景气周期有望筑底回升；年初以来自主可控紧迫性进一步加强，景气

周期与自主可控共振光刻胶有望迎来发展新阶段。

Fab厂积极扩产制程升级重塑光刻胶市场天花板，预计光刻胶市场国内增

速高于全球。光刻胶质量性能直接影响芯片性能和良率，为适应集成电路线

宽不断缩小的要求，光刻胶波长也在不断缩短，按波长划分可分为G线

（436nm）→I线（365nm）→KrF（248nm）→ArF/ArFi（193nm/134nm）→

EUV（13.5nm）。根据TECHCET数据2020年全球半导体光刻胶市场中，

ArFi光刻胶占据了40%，KrF光刻胶占比33%。受下游晶圆厂扩产制程升

级驱动全球半导体光刻胶量价齐升，市场空间广阔，根据TECHECT数据

2021年光刻胶全球市场规模约为19亿美元，2026年有望增长至28.5亿美

金，2021~20265年CAGR5.9%。量增：SEMI预计未来全球晶圆产能将持续

扩张，光刻胶作为重要耗材需求同步提高；价升：12英寸晶圆占比持续提

升，2021年已达68.47%，12英寸芯片所用制程通常在130nm以下，且在持

续向先进制程转移，随着大硅片趋势制程结构升级，高端光刻胶的需求将

会进一步提升，带动单位面积晶圆消耗的光刻胶价值量上升。随着晶圆产能

结构向大陆转移，预计未来国内半导体光刻胶市场将保持高于全球的增速

（2022年国内光刻胶市场预计39.3亿元，同比增长35%，同期全球光刻胶增

速12.32%）。

从产业链角度看光刻胶存在上游材料/中游配方/下游客户导入等多重壁垒。

①上游：光刻胶由树脂、光敏剂、溶剂等组分构成，树脂、光敏材料等仍依

赖进口；②中游：光刻胶配方需对成百上千种树脂、光敏剂等进行排列组合

并不断调整比例才能匹配已有产品的关键参数，需要极强的研发积累，此外

测试设备光刻机获取难度大、成本高；③下游：光刻胶性能及量产的稳定性

直接影响芯片性能和良率，且光刻胶的验证时间通常在两年以上，因此下游

晶圆厂与供应商粘性较强，导入新供应商意愿不强。

高壁垒下日美寡头垄断市场，自主可控背景下国产替代加速。高壁垒下当前

全球半导体光刻胶市场呈现日美垄断的格局，2020年全球ArF光刻胶市场前

四大厂商(TOK、信越化学、JSR、住友化学)均来自日本，CR4近80%；KrF

日美四大厂商TOK、信越化学、陶氏化学、JSR占比近85%。国内企业半导

体光刻胶主要集中在g/i线，高端KrF/ArF光刻胶国产化率极低，EUV光刻胶

尚处于研发阶段，经过多年积累国内厂家逐渐取得突破：g/i线光刻胶已有多

家企业实现规模量产；KrF光刻胶北京科华和徐州博康进展较快，2022年已

有多个品种实现销售，此外晶瑞及上海新阳也有少量销售；ArF光刻胶南大

光电2021年有产品验证通过，华懋科技、上海新阳也有相关产品进行测试导

入；EUV光刻胶：当前国内并无EUV光刻机，各厂商尚处于理论研发阶段。

投资建议：光刻胶是半导体制造的核心材料，其性能直接影响芯片性能和良

率。下游扩产预期+制程结构升级驱动光刻胶尤其是高端光刻胶需求提升，

随着国产化率提升国内光刻胶市场增速快于全球。而在半导体光刻胶领域目

前我国仍然