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《混合QM-MM嵌入团簇法对氮化镓中缺陷的研究》

混合QM-MM嵌入团簇法对氮化镓中缺陷的研究一、引言

氮化镓（GaN）作为一种重要的半导体材料，在光电子器件、高功率电子器件等领域有着广泛的应用。然而，材料中的缺陷问题一直是制约其性能的关键因素。为了更深入地理解氮化镓中缺陷的性质及其对材料性能的影响，科研人员不断探索新的研究方法。本文将介绍混合量子力学/分子力学（QM/MM）嵌入团簇法在氮化镓中缺陷研究的应用，以期为相关研究提供新的思路和方法。

二、混合QM/MM嵌入团簇法简介

混合QM/MM嵌入团簇法是一种结合了量子力学和分子力学的方法，用于研究大尺度系统中局部区域的性质。该方法将系统划分为