面试专业问题总结(2).docVIP

专业课问题总结

器件

齐纳击穿和雪崩击穿温度特性原理区别是否可逆热击穿原理

雪崩Vb正比于禁带宽度反比浓度

Pn结形成原理？正向导通电压？什么是耗尽区哪一侧的宽Pn结电容原理影响因素正反偏情况谁是主要电容会影响什么参数如何改

反向恢复时间长主要影响开关速度与扩散电容有关掺金加快复合减薄轻掺杂区厚度

什么是单边突变结

二极管应用

Bjt和MOS区别

压控流控单极双极结构阻抗导电原理

Bit的放大倍数随ic的变化特性，小电流大电流？

小电流时下降原因时复合电流占比例较大大电流时大注入效应及基区展宽效应

大注入是什么？有哪些非理想效应？会导致什么？如何解决？

发射极电流集边效应

基区扩展效应

基区电导调制效应

Pn结开关延迟时间与什么有关

反向恢复时间少子存储效应增大少子复合速度

共基，共射，共集放大电路的区别？共基电路如何实现放大功能？

转阻器

如何提高bjt的放大倍数？基区宽度的变化会引起哪些参数的变化？应该如何变化？

减小基区宽度发射区重掺杂（基区陷落原子半径不匹配位错基区硼扩散增强发射区禁带变窄注入效率又会减小）基区掺金放大倍数增加特征频率增加

什么是缓变基区晶体管？结构，电学特性与普通的有什么区别？

基区掺杂有一点的浓度梯度会有自建电场的产生

什么是基区穿通效应会影响什么如何避免？

晶体管负阻现象原理？

小信号是什么？

截止频率特征频率是什么？与什么参数有关？提高方法？

Bjt开关时间

MOS是什么？与BJT的区别？优点？工作原理？转移特性？几端器件？衬底如何偏置？为什么？会影响什么？

Mos分为哪几种类型？如何区分？

Mos的几种工作区域？为什么这么划分?

截止区线性区UDS小id和Uds类似线性关系

饱和区

Mos的阈值电压代表什么意义？有哪些影响因素？高好还是低好？现阶段如何调整阈值电压？什么是平带电压？什么是强反型？栅极材料用什么？为什么？

离子注入衬偏效应功函数差二氧化硅界面电荷衬底掺杂浓度衬偏电压氧化层厚度

非理想效应有哪些？衬底偏置对于阈值电压的影响？

亚阈值电流是什么？如何产生？对什么有影响?亚阈值摆幅是什么？描述什么的物理量？

沟道调制效应是什么？影响什么？沟道电阻与什么有关？

Mos管的源漏击穿有哪几种机理？分别是什么？有什么影响？如何调整？

势垒穿通短沟道低掺杂时容易发生

晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？

基区宽变效应如何减小？

要提高厄利电压，减小基区宽变效应的影响，应增大基区宽度，使基区宽变的相对影响变小。另外如果提高基区掺杂浓度，则对于一定的Vce，集电结耗尽层变化较小，也可以减小基区宽变效应的影响，提高厄利电压。但是这两条措施均与增大电流增益的要求冲突，应该综合考虑。

如果掺杂浓度比较低,金属和半导体结合面形成肖特基型接触。

如果掺杂浓度足够高,金属和半导体结合面形成欧姆型接触。

试比较p-n结和肖特基结的主要异同点。

共同点:由载流子进行电流传导。

不同点:p-n结由少数载流子来进行电流传导;肖特基结的主要传导机制是半导体中多数载流子的热电子发射越过电势势垒而进入金属中。

漏致源端势垒降低效应：漏源穿通的根源是源端附近的势垒降低漏源距离太近漏极电压会影响源端的势垒导致扩散电流增大亚阈值电流对这个效应十分敏感

当氧化层厚度缩小到大约2nm之后隧穿效应以及缺陷等问题都很严重因此需要高k介质在厚度不变的情况下提高等效电容

多晶硅可以耐受自对准注入后的高温退货另一个优势是可以通过掺杂np来调节功函数来调节阈值电压

肖特基二极管与pn结二极管的区别肖特基二极管反向饱和电流大与温度平方内建电势的指数正比多子电流是热电子发射越过势垒的电子正向导通压降低

Pn结是扩散电流

Ttl是与非逻辑六管

Ecl发射极耦合非饱和型功耗大速度快

集成注入型I2L双极型的集成电路

工艺

Npn管的制造流程

Pn结隔离

二氧化硅在集成电路中的作用，生长方法，氧化技术面临的挑战？如何应对？

扩散的步骤？

离子注入的特点？为何要退火？

光刻的特征尺寸？刻蚀技术？常用的干法刻蚀及特点？

光刻面对的挑战以及应对方法？

外延是什么？目的是？

晶体外延的意义是:用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度,因而具有不同性质的晶体层。

晶体外延的方法主要有:气相外延生长、金属有机物气相外延生长、分子束外延生长。

金属材料的选用要求？常用的金属材料

隔离技术？

什么是soi？为什么要用soi?优缺点？

典型的n阱cmos流程？先做栅还是先做源漏?

双极IC和MOSIC的隔离有何不同？

①双极IC隔离：a.PN结隔离，分为标准PN结