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西安电子科技大学Physicsof
微电子学院SemiconductorDevices
双极型器件物理(双语)
游海龙
XDPhysicsofSemiconductordevice
第一章:PN结二极管
1-1平衡PN结定性分析
1-2平衡PN结定量分析
1-3理想PN结直流伏安特性
1-4实际(Si)PN结直流I-V特性与理想模型的偏离
1-5PN结交流小信号特性
1-6PN结瞬态特性
1-7PN结击穿
1-8二极管模型和模型参数
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.2
XDPhysicsofSemiconductordevice
JunctionBreakdown
JunctionorReverse-BiasBreakdown:currentflowinginapn-junction
underreversebiassuddenlyincreasesdrasticallyifreversebiasis
increasedovertheso-calledbreakdownvoltageVBR;breakdownprocessis
reversibleifthejunctionisnotoverheated(currentmustbelimited)
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.3
XDPhysicsofSemiconductordevice
JunctionBreakdown
Thebasicbreakdownprocessesare
–Avalanching
–Zenerprocess
PN结电击穿一般不是破坏性的(除非电流非
常大*),即电击穿是一个可逆的过程。
结的击穿电压与PN结的结构以及掺杂分布有
明确的关系,结的击穿特性是可以预测的。
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.4
XDPhysicsofSemiconductordevice
第十讲PN击穿
1AvalancheBreakdown
2TunnelBreakdown
3Comparision
4thermoelectricityBreakdown
Neamen(教材),Chapter8.1,203;
Aderson,Chapter5.3.3,273;
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.5
XDPhysicsofSemiconductordevice
一、AvalancheBreakdown
1.雪崩击穿-定性分析
(1)碰撞电离
载流子在通过空间电荷区时,由于电场的作用,其能量会增加。但是其
能量的增加不是持续的,因为载流子要不断地与晶格发生碰撞而伴随着
能量的损失。如果电子在两次碰撞之间从电场获得的能量足够大,每次
碰撞后传递
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