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西安电子科技大学Physicsof
微电子学院SemiconductorDevices
双极型器件物理(双语)
游海龙
XDPhysicsofSemiconductordevice
第一章：PN结二极管
1－1平衡PN结定性分析
1－2平衡PN结定量分析
1－3理想PN结直流伏安特性
1－4实际（Si）PN结直流I-V特性与理想模型的偏离
1－5PN结交流小信号特性
1－6PN结瞬态特性
1－7PN结击穿
1－8二极管模型和模型参数
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.2
XDPhysicsofSemiconductordevice
JunctionBreakdown
JunctionorReverse-BiasBreakdown:currentflowinginapn-junction
underreversebiassuddenlyincreasesdrasticallyifreversebiasis
increasedovertheso-calledbreakdownvoltageVBR;breakdownprocessis
reversibleifthejunctionisnotoverheated(currentmustbelimited)
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.3
XDPhysicsofSemiconductordevice
JunctionBreakdown
Thebasicbreakdownprocessesare
–Avalanching
–Zenerprocess
PN结电击穿一般不是破坏性的（除非电流非
常大*），即电击穿是一个可逆的过程。
结的击穿电压与PN结的结构以及掺杂分布有
明确的关系，结的击穿特性是可以预测的。
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.4
XDPhysicsofSemiconductordevice
第十讲PN击穿
1AvalancheBreakdown
2TunnelBreakdown
3Comparision
4thermoelectricityBreakdown
Neamen（教材）,Chapter8.1,203；
Aderson，Chapter5.3.3，273；
微电子学院理想PN结直流伏安特性的定量分析.5
XDPhysicsofSemiconductordevice
一、AvalancheBreakdown
1.雪崩击穿－定性分析
（1）碰撞电离
载流子在通过空间电荷区时，由于电场的作用，其能量会增加。但是其
能量的增加不是持续的，因为载流子要不断地与晶格发生碰撞而伴随着
能量的损失。如果电子在两次碰撞之间从电场获得的能量足够大，每次
碰撞后传递
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