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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103503067A

(43)申请公布日2014.01.08

(21)申请号CN201280020050.5

(22)申请日2012.03.15

(71)申请人国际商业机器公司

地址美国纽约

(72)发明人胡国菡J·J·诺瓦克P·L·特罗伊罗德D·C·沃莱吉

(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

代理人贺月娇

(51)Int.CI

G11B5/39

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

用于自旋动量转移磁阻随机存取存

储器的具有垂直磁各向异性的磁性叠层

(57)摘要

一种磁隧道结（MTJ），包括：具

有可变磁化方向的磁性自由层；与所述自

由层相邻的绝缘隧道势垒层；具有不可变

磁化方向的磁性固定层，所述固定层被设

置为与所述隧道势垒层相邻以使得所述隧

道势垒层位于所述自由层与所述固定层之

间，其中所述自由层和所述固定层具有垂

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直磁各向异性；以及下述中的一者或多

者：复合固定层，所述复合固定层包括防

尘层、隔离物层和基准层；合成反铁磁性

（SAF）固定层结构，所述SAF固定层结

构包括位于所述固定层与第二固定磁性层

之间的SAF隔离物；以及偶极层，其中所

述自由层位于所述偶极层和所述隧道势垒

层之间。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

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权利要求说明书

1.一种用于磁性随机存取存储器（MRAM）的磁隧道结（MTJ），

包括：

具有可变磁化方向的磁性自由层；

与所述自由层相邻的绝缘隧道势垒层；

具有不可变磁化方向的磁性固定层，所述固定层被设置为与所述隧道

势垒层相邻以使得所述隧道势垒层位于所述自由层与所述固定层之间，其

中所述自由层和所述固定层具有垂直磁各向异性；以及

下述中的一者或多者：

复合固定层，所述复合固定层包括防尘层、隔离物层和基准层，

其中所述隔离物层位于所述基准层与所述隧道势垒层之间，并且其中

所述防尘层位于所述隔离物层与所述隧道势垒层之间；

合成反铁磁性（SAF）固定层结构，所述SAF固定层结构包括位

于所述固定层与第二固定磁性层之间的SAF隔离物，其中所述固定层

和所述第二固定磁性层通过所述SAF隔离物反平行地耦合；以及

偶极层，其中所述自由层位于所述偶极层与所述隧道势垒层之间。

用于自