模拟电子技术基础（第4版）课件：绝缘栅场效应管的的工作原理.pptx

绝缘栅场效应晶体管的大信号分析

(1)恒流区·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦,呈现恒流源特性。E-NMOSFET的输出特性曲线iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击沟道调制效应

uDSiD0UGS-1/?沟道调制效应沟道调制效应：因为漏端夹断区宽度增加，造成实际沟道长度减小，而沟道两端的电压不变，使得电流增大。厄尔利电压UA

uDSiD0UGS-1/?λ越小→厄尔利电压越大→曲线越平坦→恒流源特性越明显沟道调制效应厄尔利电压UA

若忽略影响：E—NMOSFET的转移特性考虑沟道调制效应后，恒流区的电流方程为：

（2）可变电阻区：iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击

E-NMOSFET的输出特性曲线iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击(3)截止区：uGS≤UGSth，导电沟道未形成，iD=0。BN＋UGSN＋PN结(耗尽层)P型衬底DS

特点：当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。N沟道耗尽型MOSFET(DepletionNMOSFET)DGSB

N沟道耗尽型MOS管的转移特性ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。夹断电压UGS(off)——沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。

N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线

JFET利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制来改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流的大小。IGFET绝缘栅极场效应管利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。