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晶体结构和晶体缺陷.ppt

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液晶(liquidcrystal):当晶体受热熔融或被溶解后,外观呈液态,微观仍保留晶体的有序排列,且物理性质各向异性。是介于晶体和液体之间的一种过渡相态。处于这种相态的物质称为液晶。(7)液晶第37页,共53页,星期六,2024年,5月按分子排列的结构不同,液晶可分为相列型(Nematic)、胆甾型(Cholesteric)和近晶型(Smectic)三种类型。相列型近晶型胆甾型第38页,共53页,星期六,2024年,5月具有液晶性质的分子已发现有六、七千种,都是有机化合物。如:R--CH=N--CNR--C-O--CN‖OR--C=CH--R?‖R′液晶显示是平面显示中发展最快、应用最广泛的新技术。第39页,共53页,星期六,2024年,5月第40页,共53页,星期六,2024年,5月晶体缺陷(crystaldisfigurement):晶体中某些区域粒子的排列不象理想晶体那样规则和完整,这种偏离完整性的区域,或者说晶体中一切偏离理想的晶格结构称做晶体缺陷。4.4.2晶体缺陷第41页,共53页,星期六,2024年,5月按照缺陷的形成和结构分类:本征缺陷(固有缺陷):指不是由外来杂质原子形成,而是由于晶体结构本身偏离晶格结构造成的缺陷。杂质缺陷:指杂质原子进入基质晶体中所形成的缺陷。按照缺陷的几何特征分类:点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷。第42页,共53页,星期六,2024年,5月点缺陷:晶格结点粒子发生局部错乱的现象。按引起点缺陷的粒子不同,可分为:错位粒子、间隙粒子、杂质粒子和空位。第43页,共53页,星期六,2024年,5月杂质粒子缺陷间隙粒子缺陷空位缺陷错位粒子缺陷本征缺陷杂质缺陷第44页,共53页,星期六,2024年,5月线缺陷:晶体中某些区域发生一列或若干列粒子有规律的错排现象称为线缺陷,又称位错。线缺陷有两种基本类型:刃型位错螺型位错线缺陷第45页,共53页,星期六,2024年,5月理想晶体原子面堆积含有刃型位错晶体原子面堆积含有螺型位错晶体原子面堆积第46页,共53页,星期六,2024年,5月面缺陷面缺陷:由点缺陷或面缺陷造成晶格中可能缺少整个一层的粒子,形成了层错现象;也可以看成是整个一层的粒子所构成的晶面错开形成的缺陷。按照两侧晶体间的几何关系,面缺陷可分为:平移界面(堆垛层错)孪晶界面位错界面(晶粒边界)第47页,共53页,星期六,2024年,5月体缺陷体缺陷:由点缺陷或面缺陷造成在完整的晶格中可能存在着空洞或夹杂有包裹物等,使晶体内部的空间晶格结构整体上出现了一定形式的缺陷。第48页,共53页,星期六,2024年,5月晶体缺陷引起晶格局部弹性变形称晶格畸变。点缺陷引起的三种晶格畸变杂质粒子缺陷空位缺陷间隙粒子缺陷晶体缺陷对晶体性质的影响第49页,共53页,星期六,2024年,5月晶格畸变引起晶体结构的变化,对晶体性质如机械强度、导电性、耐腐蚀性和化学反应性能都有较大影响。引入杂质可改变半导体的能带结构,所以杂质对半导体材料电学性能的影响十分显著。在晶体中引入杂质粒子称掺杂。第50页,共53页,星期六,2024年,5月PSiBSi多电子缺电子第51页,共53页,星期六,2024年,5月非化学计量化合物(non-stoichiometriccompounds):由于晶体缺陷造成晶体的组成中各元素原子的相对数目不能用整数比表示的化合物,称非整数比化合物,也称非化学计量化合物。如AmBn:A:B=m:n为整数比化合物A:B?m:n为非整数比化合物

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