基本光刻工艺课件.pptVIP

概述在本章中，將介紹從顯影到最終檢驗所使用的基本方法。還涉及掩膜版工藝的使用和定位錯誤的討論。9.1顯影晶園經過曝光後,器件或電路的圖形被以曝光和未曝光區域的形式記錄在光刻膠上。通過對未聚合光刻膠的化學分解來使圖形顯影。通過顯影完成掩膜版圖形到光刻膠上的轉移（如圖所示）。不良顯影：不完全顯影顯影不足嚴重過顯影。第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－2－第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－3－負光刻膠顯影當負性光刻膠經過曝光後，它會發生聚合，在聚合與未聚合之間有足夠高的解析度，從而在顯影過程中聚合的區域只會失去很小部分光刻膠，而未聚合的區域則在顯影過程中分解，但由於兩個區域之間總是存在過渡區，過渡區是部分聚合的光刻膠，所以，顯影結束後必須及時沖洗，使顯影液很快稀釋，保證過渡區不被顯影，使顯影後的圖形得以完整。第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－4－正光刻膠顯影對於正性光刻膠，聚合與未聚合區域的溶解率約為1:4。這意味著在顯影中總會從聚合的區域失去一些光刻膠。使用過渡的顯影液或顯影時間過長都會導致光刻膠太薄而不能使用。通常要求不高的正光刻膠顯影使用減－水溶液和非離子溶液，對製造敏感電路使用疊氮化四甲基銨氫氧化物的溶液。正性光刻膠的顯影工藝比負性光刻膠更為敏感，影響的因素有：軟烘焙時間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時間、溫度以及顯影方法。顯影工藝參數由所有變數的測試來決定。圖9.4顯示了一個特定的工藝參數對線寬的影響。第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－5－圖9.4顯影劑溫度和曝光關係與線寬變化的比較第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－6－顯影方式顯影方式分為：濕法顯影幹法（等離子）顯影濕法顯影沉浸噴射混凝沉浸顯影最原始的方法。就是將待顯影的晶園放入盛有顯影液的容器中，經過一定的時間再放入加有化學沖洗液的池中進行沖洗。比較簡單，但存在的問題較多，比如：液體表面張力會阻止顯影液進入微小開孔區；溶解的光刻膠粘在晶園表面影響顯影品質；隨著顯影次數增加顯影液的稀釋和污染；顯影溫度對顯影率的影響等。噴射顯影顯影系統如圖9.7所示。由此可見，顯影劑和沖洗液都是在一個系統內完成，每次用的顯影液第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－7－和沖洗液都是新的，所以較沉浸系統清潔，由於採用噴射系統也可大大節約化學品的使用。所以此工藝很受歡迎，特別是對負性光刻膠工藝。對正性光刻膠工藝來說因為溫度的敏感性，當液體在壓力下從噴嘴噴出後很快冷卻，要保證溫度必須加熱晶園吸盤。從而增加了設備的復查性和工藝難度。第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－2－混凝顯影雖然噴射顯影有很多有點，但對正性光刻膠顯影還存在一些問題，混凝顯影就是針對所存在地問題而改進的一種針對正性膠的光刻工藝，差別在於顯影化學品的不同。如圖所示，首先在靜止的晶園表面上覆蓋一層顯影液，停留一段時間（吸盤加熱過程），在此過程中，大部分顯影會發生，然後旋轉並有更多的顯影液噴到晶園表面並沖洗、乾燥。第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－9－幹法顯影液體工藝的自動化程度不高，並且化學品的採購、存儲、控制和處理費用昂貴，取代液體化學顯影的途徑是使用等離子體刻蝕工藝，該工藝現已非常成熟。在此工藝中，離子從等離子體場得到能量，以化學形式分解暴露的晶園表面層。幹法光刻顯影要求光刻膠化學物的曝光或未曝光的之一易於被氧等離子體去除。具體內容在第十章仲介紹。9.2硬烘焙硬烘焙的作用是蒸發濕法顯影過程中吸收在光刻膠中溶液，增加光刻膠和晶園表面的粘結能力，保證下一步的刻蝕工藝得以順利進行。第九章基本光刻工藝------從曝光到最終檢驗－10－硬烘焙方法在方法和設備上與前面介紹的軟烘焙相似。烘焙工藝