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晶體生長簡介

一、成核成核是一個相變過程，即在母液相中形成固相小晶芽，這一相變過程中體系自由能的變化為：ΔG=ΔGv+ΔGs式中△Gv為新相形成時體自由能的變化，且△Gv＜0,△GS為新相形成時新相與舊相介面的表面能，且△GS＞0。也就是說，晶核的形成，一方面由於體系從液相轉變為內能更小的晶體相而使體系自由能下降，另一方面又由於增加了液-固介面而使體系自由能升高。只有當ΔG＜0時，成核過程才能發生，因此，晶核是否能形成，就在於ΔGv與ΔGs的相對大小。見圖8-1:體系自由能由升高到降低的轉變時所對應的晶核半徑值rc稱為臨界半徑。思考：怎麼理解在晶核很小時表面能大於體自由能，而當晶核長大後表面能小於體自由能？

因此，成核過程有一個勢壘：

能越過這個勢壘的就可以進行

晶體生長了，否則不行。

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均勻成核：在體系內任何部位成核率是相等的。

非均勻成核：在體系的某些部位（雜質、容器壁）的成核率高於另一些部位。

思考：為什麼在雜質、容器壁上容易成核？

為什麼人工合成晶體要放籽晶？

一旦晶核形成後，就形成了晶－液介面，在介面上就要進行生長，即組成晶體的原子、離子要按照晶體結構的排列方式堆積起來形成晶體。

1．層生長理論模型（科塞爾理論模型）

這一模型要討論的關鍵問題是：在一個正在生長的晶面上尋找出最佳生長位置，有平坦面、兩面凹角位、三面凹角位。其中平坦面只有一個方向成鍵，兩面凹角有兩個方向成鍵，三面凹角有三個方向成鍵，見圖：

二、晶體生長模型因此，最佳生長位置是三面凹角位，其次是兩面凹角位，最不容易生長的位置是平坦面。這樣，最理想的晶體生長方式就是:先在三面凹角上生長成一行，以至於三面凹角消失，再在兩面凹角處生長一個質點，以形成三面凹角，再生長一行，重複下去。層生長過程但是，實際晶體生長不可能達到這麼理想的情況，也可能一層還沒有完全長滿，另一層又開始生長了，這叫階梯狀生長，最後可在晶面上留下生長層紋或生長階梯。階梯狀生長是屬於層生長理論範疇的。總之，層生長理論的中心思想是：晶體生長過程是晶面層層外推的過程。但是，層生長理論有一個缺陷：當將這一介面上的所有最佳生長位置都生長完後，如果晶體還要繼續生長，就必須在這一平坦面上先生長一個質點，由此來提供最佳生長位置。這個先生長在平坦面上的質點就相當於一個二維核，形成這個二維核需要較大的過飽和度，但許多晶體在過飽和度很低的條件下也能生長，為了解決這一理論模型與實驗的差異，弗蘭克(Frank)於1949年提出了螺旋位錯生長機制。2．螺旋生長理論模型（BCF理論模型）

該模型認為晶面上存在螺旋位錯露頭點可以作為晶體生長的臺階源,可以對平坦面的生長起著催化作用，這種臺階源永不消失，因此不需要形成二維核，這樣便成功地解釋了晶體在很低過飽和度下仍能生長這一實驗現象。螺旋生長過程這兩個模型有什麼聯繫與區別？聯繫：都是層層外推生長；區別：生長新的一層的成核機理不同。有什麼現象可證明這兩個生長模型？環狀構造、砂鐘構造、晶面的層狀階梯、螺旋紋三、晶體生長實驗方法水熱法—高溫高壓生長（高壓釜）：晶體原料溶在高溫高壓水溶液（溶劑）中；提拉法—高溫常壓生長：沒有溶劑，也沒有助熔劑；低溫溶液生長------低溫常壓水溶液生長：即常見的從溶液中結晶出來；高溫熔液生長-------高溫常壓在助熔劑生長：沒有溶劑，但有助熔劑（晶體原料熔在另外一種成分的物質中，但無水）。總之，是設計出一些方法讓晶體生長得完好。每個晶體所適合的方法不同。四、決定晶體生長形態的內因1．布拉維法則(lawofBravais)：晶體上的實際晶面往往平行於面網密度大的面網。為什麼？面網密度大—面網間距大—對生長質點吸引力小—生長速度慢生長速度慢—在晶形上保留—生長速度快—尖滅2．PBC（週期性鍵鏈）理論：晶面分為三類：F面(平坦面，兩個PBC)，晶形上易保留。S面(階梯面，一個PBC),可保留或不保留。K面(扭折面，不含PBC),晶形上不易保留。