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晶園製備3.1概述在這一章裏，主要介紹沙子轉變成晶體，以及晶園和用於晶片製造級的拋光片的生產步驟。高密度和大尺寸晶片的發展需要大直徑的晶園，最早使用的是1英寸，而現在300mm直徑的晶園已經投入生產線了。因為晶園直徑越大，單個晶片的生產成本就越低。然而，直徑越大，晶體結構上和電學性能的一致性就越難以保證，這正是對晶園生產的一個挑戰。3.2晶體生長半導體材料都是由構成其成分的原子規律排列而成，通常把這種原子規律排列而成的材料稱為單晶。而它是由大塊的具有多晶結構和未摻雜的本征材料生長得來的。把多晶塊轉變成一個大單晶，並給予正確的定向和適量的N型或P型摻雜，叫做晶體生長。有三種不同的生長方法：直拉法區熔法液體掩蓋直拉法3.2.1直拉法大部分的單晶都是通過直拉法生長的。生產過程如圖所示。特點：工藝成熟，能較好地拉制低位錯、大直徑的矽單晶。缺點是難以避免來自石英坩堝和加熱裝置的雜質污染。3.2.2液體掩蓋直拉法此方法主要用來生長砷化鎵晶體，和標準的直拉法一樣，只是做了一些改進。由於熔融物裏砷的揮發性通常採用一層氧化硼漂浮在熔融物上來抑制砷的揮發。故得其名，如圖所示。3.2.3區熔法主要用來生長低氧含量的晶體，但不能生長大直徑的單晶，並且晶體有較高的位錯密度。這種工藝生長的單晶主要使用在高功率的晶閘管和整流器上，生長系統如圖所示。幾種工藝的比較3.3晶體缺陷及對器件品質的影響缺陷主要有：點缺陷位錯(原生的和誘生的)點缺陷主要來源於晶體內雜質原子的擠壓晶體結構引起的應力所產生的缺陷，還有就是空位(晶格點陣缺少原子所制)。如圖所示位錯位錯是單晶內部一組晶胞排錯位置所制(如圖所示)..原生位錯是晶體中固有的位錯，而誘生位錯是指在晶片加工過程中引入的位錯，其數量遠遠大於原生位錯。產生的原因大致可分為三個方面高溫工藝過程引入的位錯摻雜過程中引入的位錯薄膜製備過程中引入的位錯無論是天生的還是誘生的缺陷對器件特性都是不利的，因此在晶片製造過程中都應該儘量避免。3.4晶片加工晶片加工是指將單晶棒經過切片、磨片、拋光等一系列的工序加工成用來做晶片的薄片。切片在切片前還要滾磨整形、晶體定向、確定定位面、等一系列的加工處理。切片就是用有金剛石塗層的內園刀片把晶片從晶體上切下來。磨片因為用機械的方法加工的晶片是非常粗造的，如圖所示，它不可能直接使用，所以必須去處切片工藝殘留的表面損傷。磨片----是一個傳統的磨料研磨工藝
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