晶体三极管与场效应管.ppt

三极管的检测②PN结，定管型

找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。第30页,共45页，星期六，2024年，5月三极管的检测③穿透电流确定集电极C，发射极E找出了基极B，另外两个电极哪个是集电极C，哪个是发射极E呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极C和发射极E。A对于NPN型三极管，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻RCE和REC，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→C极→B极→E极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极C，红表笔所接的一定是发射极E。第31页,共45页，星期六，2024年，5月三极管的检测B对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→E极→B极→C极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极E，红表笔所接的一定是集电极C。注：若由于上述颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在上述两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极B，仍用上面的判别方法即可区分开集电极C与发射极E。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。第32页,共45页，星期六，2024年，5月场效应晶体管场效晶体管（FieldEffectTransistor——FET）是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。按结构不同场效晶体管有两种:结型场效晶体管（JFET）绝缘栅型场效晶体管（MOSFET）MOSFET管按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类每类又有N沟道和P沟道之分第33页,共45页，星期六，2024年，5月N沟道增强型绝缘栅场效应管结构示意图构成：用一块杂质浓度较低的P型薄硅片作为衬底，其上扩散两个相距很近的高掺杂N+型区。并在表面生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层。P型硅衬底N+N+SiO2绝缘层再在两个N+型区之间的二氧化硅绝缘层的表面及两个N+型区的表面和P型硅衬底分别安置四个电极：栅极G、源极S、漏极D和衬底B。衬底B通常与源极S连在一起。源极S栅极G漏极DDSG符号BSourceGateDrainBase衬底B由于柵极电流几乎为零，栅源电阻RGS很高，最高可达1014?。由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)场效晶体管，简称MOS场效晶体管。栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效晶体管。第34页,共45页，星期六，2024年，5月N沟道增强型管的工作原理当栅-源电压UGS=0时，D与S之间是两个PN结反向串联，即：无论D与S之间加什么极性的电压，总有一个PN结是反向偏置的，漏极电流ID均接近于零。SD≈0=0P型硅衬底N++BSGD。IDUGSN+N+UDS第35页,共45页，星期六，2024年，5月P型硅衬底N++BSGD。耗尽层IDUGSN+N+UDSN沟道增强型管的工作原理当在柵极和源极之间加正向电压但数值较小时(0UGSUGS(th))，由柵极指向衬底方向的电场吸引电子向上移动，填补空穴在P型硅衬底的上表面形成负离子耗尽层，此时仍然没有漏极电流。≈0第36页,共45页，星期六，2024年，5月当UGS大于一定数值时(UGSUGS(th)开启电压)，被电场吸引的少数载流子——电子在栅极附近的P型硅表面出一层由自由电子构成的导电薄层，称为N型薄层，也称为反型层。它是由UGS感应产生的，又称为感生沟道。这就是沟通源区和漏区的N型导电沟道(与P型衬底间被耗尽层绝缘)。UGS正值越高，吸引到P型硅表面的电子就越多，导电沟道越宽，沟道电阻越小。N沟道增强型管的工作原理P型硅衬底DSGB