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图P4-23第126页,共133页,星期六,2024年,5月4-24图P4-24(a)、(b)分别给出了两个场效应管的输出特性和转移特性。判断它们的类型,确定其UGS(off)或UGS(th)、IDSS或ID0的取值。
解图P4-24(a)为N沟道增强型MOSFET,UGS(th)=2V。
图P4-24(b)为P沟道耗尽型MOSFET,UGS(off)=3V,ID0=-0.5mA。第127页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-24第128页,共133页,星期六,2024年,5月4-25电路如图P4-25所示。二极管是理想二极管,场效应管的夹断电压UGS(off)=-4V,电容C的初始电压为零。
(1)说明集成运放A1、A2和A3的功能;
(2)说明二极管VD和场效应管V的功能;
(3)根据图中输入电压ui的波形,画出各级输出电压uo1、uo2、uo3和uo的波形。
解(1)A1构成同相比例放大器;A2构成反相迟滞比较器;A3构成反相积分器。
(2)二极管VD和电阻R6构成半波整流电路;场效应管V用作无触点电子开关。
(3)uo1、uo2、uo3和uo的波形如图P4-25′所示。第129页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-25第130页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-25′第131页,共133页,星期六,2024年,5月4-26压控弛张振荡器电路如图P4-26所示。
(1)说明集成运放A1、A2和A3的功能;
(2)说明二极管VD和场效应管V的功能;
(3)画出各级输出电压uo1、uo2、uo3和uo的波形。
第132页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-26第133页,共133页,星期六,2024年,5月解图P4-12(a)中,因为UZ1UZ2,所以VDZ1首先击穿,其两端电压为UZ1,该电压使VDZ2反偏而又不致击穿,所以处于截止状态,UO=UZ1=6V。
图P4-12(b)中,VDZ2导通,其两端电压为UD(on),该电压使VDZ1反偏而又不致击穿,所以处于截止状态,UO=UD(on)=0.7V。第94页,共133页,星期六,2024年,5月4-13推导图P4-13所示电路的输出电压uo的表达式。
解图P4-13(a)中,当稳压二极管VDZ1和VDZ2都截止时,集成运放的输入电压
第95页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-13第96页,共133页,星期六,2024年,5月经过VDZ1和VDZ2的限幅,uo的最大值uomax=6V+2V=
8V,根据上式求得此时ui=-1V;uo的最小值uomin=-6V+2V=-4V,对应的ui=5V。根据以上分析,uo的表达式为
图P4-13(b)中,当ui0时,二极管VD截止,集成运放A1的输入电压u1-=u1+=ui,输出电压
第97页,共133页,星期六,2024年,5月当ui0时,VD导通,A1构成反相比例放大器,有
根据以上分析,在任意时刻,uo=|ui|。第98页,共133页,星期六,2024年,5月4-14电路如图P4-14所示。设电容C的初始电压为零。
(1)说明集成运放A1、A2和A3的功能;
(2)当输入电压ui=8sinωt(V)时,画出各级输出电压uo1、uo2和uo的波形。第99页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-14第100页,共133页,星期六,2024年,5月解(1)A1构成反相比例放大器,A2构成反相过零简单比较器,A3构成反相积分器。
(2)
当uo10时,uo2=6V;当uo10时,uo2=-6V。uo2=6V时,电容C充电,uo随时间线
性下降;uo2=-6V时,C放电,uo随时间线性上升。根据以上分析,uo1、uo2和uo的波形如图P4-14′所示。第101页,共133页,星期六,2024年,5月图P4-14′第102页,共133页,星期六,2024年,5月4-15定性画出图P4-15中弛张振荡器的输出电压uo和电容电压uC的波形。
解图P4-15(a)中,当uo=UoH=6V时
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