半导体二极管及其应用.pptVIP

二极管的参数(1)最大整流电流IF+iDvDR二极管的参数(2)反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRMVRM=0.5VBR为了保证二极管安全工作：(3)反向饱和电流IS二极管的参数正向压降VF（硅二极管典型值）（锗二极管典型值）PN结的伏安特性DR导通压降：+Div二极管的参数(5)极间电容CB或最高工作频率C的阻抗＝1/(ωC)理想二极管等效电路忽略二极管的正向压降和反向电流考虑正向压降的等效电路考虑二极管的正向压降，硅管：UD（ON）=0.7V锗管：UD（ON）=0.3V二极管的等效电路例二极管门电路如图所示，A、B为输入端，F为输出端，根据输入信号波形分析各二极管的工作状态，并该电路的输出波形半导体二极管图片{end}补充知识二极管基本电路及其分析方法1二极管V-I特性的建模2应用举例PN结的伏安特性iD=(VDD-vDD)/RPN结的伏安特性VDD1二极管V-I特性的建模1.理想模型3.折线模型2.恒压降模型k阴极阳极a1二极管V-I特性的建模1.理想模型1二极管V-I特性的建模2.恒压降模型（硅二极管典型值）（锗二极管典型值）导通压降：1二极管V-I特性的建模4.小信号模型